| 研究課題/領域番号 |
09558066
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
梶井 克純 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教授 (40211156)
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| 研究分担者 |
吉沢 仁 藤井光学, 研究員
廣川 淳 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (20262115)
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| キーワード | NO_2 / LIF / Nd:YLFレーザー / ダイノードゲート |
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| 研究概要 |
可視域に存在するブロードなNO_2の電子吸収帯の523mmバンドを利用した、レーザー誘起蛍光法を用いた、NO_2濃度計測システムの開発と継続して行った。LIF測定用のセルを作製し、真空排気の実験を行い30mTorrまで到達することが明らかとなり実用に耐えうるものとなった。
NO_2の励起に用いる半導体レーザー励起のNd:YLFレーザーの第2高周波は安定に発振し1kHzのくり返しのときに約200μJ/pulseのエネルギーが得られることが分かった。ダイノードゲートを導入した光電子増倍等により1000/1でゲート機構が作動することが明らかとなった。
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