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微小ジョセフソン接合の配列では、余剰電荷は接合配列を分極し、電荷ソリトンを形成する。この電荷ソリトンの間の相互作用エネルギーが距離の対数に依存するため、理想的な場合電荷KT転移がおこる。実際のオフセット電荷の存在により、微小ジョセフソン接合の二次元配列では、電荷KT転移の観測は困難であった。実際にオフセット電荷がはたしてどれほどあるのかこれを明らかにするのが単一電子トランジスタをプローブとした走査顕微鏡の開発の主眼である。この走査顕微鏡の開発はプローブの作成に困難をともない、残念ながら現在もなお開発途上で成功していない。しかし、本来の目的であるオフセット電荷が二次元配列にいかなる影響を与えるかに関しては、ある程度の知見が得られた。規則的な二次元配列から、規則的あるいはランダムに接合を抜き、有効的にオフセット電荷を模倣した二次元配列を電子線リソグラフ法と斜め蒸着の方法で作成し、電気抵抗の温度依存性を詳しく調べた。欠陥が増えるにつれて抵抗が増大し、より絶縁体的な振る舞いをみせた。オフセット電荷の存在により、電荷KT転移は抑圧される傾向があるが、欠陥導入により、電荷ソリトン間の相互作用がむしろ増大し、そのため、絶縁体的な振る舞いを強めたとこの傾向は、解釈される。欠陥導入により電荷ソリトン間の相互作用を変化させられることを発見した。
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