研究課題/領域番号 |
09640448
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研究機関 | 慶應義塾大学 |
研究代表者 |
宮島 英紀 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (70166180)
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研究分担者 |
日向 裕幸 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (70126150)
小野 輝男 慶應義塾大学, 理工学部, 助手 (90296749)
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キーワード | 複合膜 / 量子トンネル効果 / 磁壁移動 / ピン止め中心 / 強磁性細線 / 量子細線 / 電気伝導の量子化 |
研究概要 |
本研究の目的は、人為的に制御されたピン止め障壁を持つ系での巨視的トンネル効果(MQTM)を明確にすることである。この研究は、磁気抵抗効果を利用した磁壁結合素子の開発などに役立つ。本年度は次の3点を中心に研究を行った。1)電子線リソグラフィー法により、ピン止め障壁を持った強磁性細線を作製し、磁化反転の進行過程を巨大磁気抵抗効果を用いて調べた。2)ピン止め力と場所を人為的にコントロールできるピン止め障壁を持つ多重細線を作製し、MQTMと電流磁気効果について調べた。3)強磁性細線を原子サイズまで細くしていくと電気伝導度は2e^2/h単位(cは電子の電荷、hはブランク定数)で量子化されるが、外部磁場を印加しスピン縮退が無くなった状態で電気伝導度を測定すると電気伝導度はe^2/h単位で量子化されることを発見した。4)He^3-He^4希釈冷凍機の冷凍能力を向上をはかった。当初、ハード磁性体/非磁性Sio_2/ソフト磁性体からなる3層構造膜を作製し、両磁性体を細孔で接合させて細線をつくり、電流磁気効果を測定する予定であったが,上記3)の方法で量子効果が観測されたので、この研究に力点を置いた(NATUREに投稿中)。2)は予想通りの成果を得た(SCIENCEにて発表)。NiFe/Cu多重細線を作製し、電流線Cuをピン止め障壁にした系の電流磁気効果を測定して磁壁移動について議論した(INTERMAG99にて発表)。
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