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この研究の目的は、液晶状態における分子の異方的自己拡散係数を定量的に評価するNMRの新しい手法と実験装置を確立すること、及びこの方法を使って液晶の並進ダイナミクスと物性の関係を統一的に明らかにすることである。
実験手法と装置の面では、高速パワーMOSFETを用いたスイッチング回路を完成させ、磁場勾配パルスの過渡特性を大幅に改善した。また、stimulated echoを測定できるようになったので、従来より更に遅い拡散を測定できるようになった。改良された装置によって、液晶の拡散異方性の測定はかなり自動化され、よいデータを生産しつつある。以下に最近の成果の一例を記す。
反強誘電性液晶MHPOBCのSA相(常誘電相)において、拡散異方性が大きいこと(SA相で既に1桁近く異なる)、及び活性化エネルギーが3.1倍異なることを見出した。これは分子が層内に強く束縛されていることを示す結果であり、反強誘電的秩序化に有利な特性が常誘電相において形成されていることを示している。
MHPOBCについては、以前に他の研究者によって、ドープした色素分子の拡散係数とその異方性が測られ、報告されている。その結果は我々のものとは著しく異なっている。このことは、不純物プローブを用いて得られた結果の持つ意味の曖昧さ、及びNMRの有効性を改めて示すものでもある。
10年度に得られた結果の多くはまだ出版していないが、Newsletterに1報が掲載された。
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