| 研究概要 |
1.光照射下での磁気特性測定装置の製作
光照射時の磁気特性を測定するため,現有のSQUID磁束計に光ファイバーを組み込んだ.光源は200Wの水銀キセノンランプを用い,各種バンドパスフィルターを装着して所定の波長の光を導入できるようにした.また,赤外線カットフィルターを用い,光源の強度を50W以下に抑えることで,温度2Kおいても光照射時の温度コントロールが可能であることを確認した.
2.錯体の合成,磁気特性
有機層に長鎖アルキル基を用いたペロブスカイト錯体[CH_3(CH_2)_<17>NH_3]_2MCl_4,M=Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,およびナフチルアミンを用いたペロブスカイト錯体[C_<10>H_7CH_2NH_3]_2MCl_4,M=Cuを合成した.この粉末試料において以下のことがわかった.
(1)FT-IRを用いて構造解析を行い,M=Niの長鎖アルキル錯体以外でペロブスカイト構造の錯体が合成されていることを確認した.
(2)長鎖アルキル錯体の磁気特性をSQUIDで測定し,M=Cr,Cuでは強磁性,M=Fe,Mnでは反強磁性,M=Coは常磁性であることがわかった.これらの結果はアルキル鎖の短い錯体の報告値とよく一致した.すなわちこれらの磁性は二次元性であることがわかった.M=Cuのナフタレン錯体も強磁性を示したが,その転移温度は長鎖アルキル錯体と比較して低下した.
(3)M=Cuのナフタレン錯体において光照射下での磁気特性を測定したが,磁化,磁気転移温度の変化は確認されなかった.
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