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1. ネマチック掖晶の種々な界面(自由界面、N-1界面、固体基盤界面等)における界面張カを、剛体棒状分子のモデルを用い平均場近似によって理論的に計算し、界面における分子配向方向が界面の性質に依存して相転移的変化を起こすことや、配向相転移によって界面高分子系に生じるメモリー効果などをミクロの立場から説明した。これらの結果を同じモデルで計算したフランク弾性常数の結果と組み合わせて、界面でのアンカリング強度を表す外挿距離の分子論的な表式を得た。
2. 分子の頭尾非対称性から生じるカイラルスメクチックC液晶における多段階的相転移現象を論じるために分子論的な自由エネルギーの表式を提案し、これの理論的解析とモンテカルロ法による計算機シミュレーションを組み合わせて起こり得る相構造を予測し、実験とのよい一致を得た。
3. ネマチック相液晶が強誘電性を示すための条件を理論的に考察し、分子的モデルに基づいて強誘電相を含む理論的相図を計算した。計算による予想は最近の実験事実を解釈する上で有用な結果を与える。
4. 以上の研究を通じて、異なる性格の分子的機構(分子間相互作用、分子の剛直性と屈曲性、分子の対称性、異分子混合、等)が示す能動的複合効果についての種々の知見を得た。
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