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1.コヒーレントな電子波を用いた場合の3電子波干渉パターンの強度分布を利用して、現実のパ-シャルコヒーレントな電子波を用いた場合の3電子波干渉パターンの計算機シミュレーション法を確立した。
2.電子線照射で帯電した直径0.5μmのラテックス球(電子顕微鏡の倍率校正に用いられる)のまわりにできる静電場に起因する入射電子線の位相シフト量を影像法で求め、種々の帯電量を仮定してそのようなミクロな静電場が存在する場合の3電子波干渉パターンを上記の結果を用いて計算した。その結果、等位相線がきれいに現れることが判った。更にその結果を平山((財)セラミックスセンター)らの実験結果と比較検討した結果、ラテックス球は650e(e:素電荷)に相当する電荷を帯びていることが判明した。同時に、3電子波干渉法を実行するために最適な電子線のコヒーレンス条件も明らかにした。
3.磁気双極子のまわりのミクロな静磁場に起因する入射電子線の位相シフトを計算で求め、種々の磁束量を仮定して、そのような静磁場が存在する場合の3電子波干渉パターンの計算機シミュレーションを行い、等位相線が磁束量と共に変化していく様子を明らかにした。更にその結果を磁性薄膜上の微小突起間の磁束分布に関する電子線ホログラフィー法を用いたMatteucci(ボロニヤ大学)の実験結果と比較検討した結果、微小突起間に20h/eの磁束が存在することが判明した。
以上の結果、3電子波干渉パターンの計算機シミュレーションは実験パターンとの比較を通じてミクロな電磁場に関する定量的測定を可能にすることが判明した。
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