1997 年度実績報告書

極端紫外光リソグラフィ用薄膜の最適設計と分光エリプソメトリによるその評価法の研究

研究課題

研究課題/領域番号	09650048
研究種目	基盤研究(C)
研究機関	静岡大学
研究代表者	山口十六夫静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (40010938)
キーワード	極端紫外光リソグラフィ / 超解像マスク / 位相反転マスク / 分光エリプソメトリ / a-SiN_X / Al_<1-X>Cr_XO_Y
研究概要	実用的な究極の光リソグラフィ用光源であるArFエキシマレーザーの波長(193nm)における超解像マスク用薄膜材料、および、レジスト内部のハレーション防止用反射防止膜材料を調べるのが本研究課題の目的である。超解像マスクは、光を遮蔽する部分を位相反転、部分透過膜とすることで、パターンの境界を明瞭にさせるものである。本研究では単層位相反転部分透過膜超解像マスク、及び、反射防止膜を調べる。いずれも193nmでの薄膜の光学定数n-ikの正確な値が必要不可欠である。本研究では、240nm以上の長波長領域の分光エリプソメトリ計測データから193nmでの正確な値を外挿して得る手法を考案した。実際に、a-SiN_Xおよびa-Al_<1-X>Cr_XO_Y薄膜を作製し、上記の手法が有効であることを確認するとともに、これらの材料が本研究の目的に適していることを見出した。

[文献書誌] Z.-T.Jiang, M.Aoyama, L.Asinovsky and T.Yamaguchi: "Investigation of Silicon Rich Nitride Phase-shifting Mask Material for 193nm Lithography" 3rd Intern.Symp.on 193nm Lithography(Hakodate),Digest of Abstract. 125-126 (1997)
[文献書誌] Z.-T.Jiang, T.Yamaguchi, E.Kim, S.Hong, K.No, Y.S.Kang, S.J.Park and Y-B Koh: "Application of DV-Xα to the Cr_2O_3-Al_2O_3 mask materials for Deep-UV Lithography" Bulletin of the society for discrete variational-Xα. 10[2]. 22-26 (1997)
[文献書誌] 山口十六夫: "非晶質材料の経験的誘電率関数と膜厚揺らぎモデル" 表面科学. 18[11]. 676-680 (1997)
[文献書誌] H.Jayatissa, T.Yamaguchi, K.Sawada and M.Aoyama: "Characterization of interface layer of silicon on sapphire using spectroscopic ellipsometry" Jpn.J.Appl.Phys.36[12A]. 7125-7155 (1997)
[文献書誌] Z.-T.Jiang, T.Yamaguchi, M.Aoyama and T.Hayashi: "Possibility of simultaneous monitoring of temperature and surface layer thickness of Si substrate by In situ spectroscopic ellipsometry" Jpn.J.Appl.Phys.37[2]. 674-678 (1998)
[文献書誌] Z.-T.Jiang, T.Yamaguchi, K.Ohshimo, M.Aoyama and L.Asinovsky: "The application of silicon rich nitride films for use as deep-ultraviolet lithography phase-shifting masks" Jpn.J.Appl.Phys.37[2]. 628-633 (1998)