| 研究課題/領域番号 |
09650067
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| 研究機関 | 東海大学 |
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研究代表者 |
若木 守明 東海大学, 工学部, 教授 (20100993)
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| 研究分担者 |
村上 佳久 筑波技術短期大学, 視覚部, 助手 (30229976)
小川 力 (財)応用光学研究所, 研究員 (80015750)
渋谷 猛久 東海大学, 工学部, 講師 (90235599)
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| キーワード | フォトドーピング / 偏光解析 / 光導波路 / 電場効果 / カルコゲナイドガラス / As_2S_3 / GeS_2 |
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| 研究概要 |
フォトドーピング現象の光導波路への応用を意図し、ノンドープ層と金属ドープ層の物性ならびに拡散過程における金属の拡散プロフィールの把握を目的に、平成10年度にはAg/As_2S_3の二重層について、「偏光解析測定」「電場効果測定」等を行い、それらのデータの解析を行った。偏光解析測定では偏光解析パラメーター(Δ,Ψ)に特徴的時間推移を観測した。それらのシミュレーション解析によって、膜厚と光学定数にすでにわれわれが報告したのと同様の振る舞いを確認した。フォトドーピングのメカニズムについて、クラスター層を含む4層モデルでのフィッティングで、今までの3層モデルよりも良い結果を得た。クラスター層の存在がより明確に示唆され、この手法のフォトドーピング現象解明への有効性を明らかにできた。また、ドープ層のAgとAs_2S_3の組成比を、消費されたAgより精密に決定できた。
偏光解析に関連して、分光エリプソメトリーのその場観察の測定を行い、ドープ層についての波長分散を解析し、従来得られた結果を確認し、4層モデルをより支持する結果を得た。また、分光エリプソメーターを用い電場効果の測定を行った。電場効果は認められ、興味深い振る舞いを示した。詳細な解析は現在進行中である。
先導波路に関しては、可視領域で利用できる光導波路の基礎研究として、GeS_2薄膜を作製し、基本的な物理特性を評価した。フォトドーピングの基礎実験を行い、今後に期待がもてる結果を得た。
これらの結果を、1998年9月の日本光学会'98学術講演会および1998年10月の米国光学会年会において発表し、東海大学紀要工学部V0l.38,No1.1998にまとめた。成果の一部は、Jpn.J.Appl.Phys.に投稿中である。
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