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1998 年度 実績報告書

機械加工を併用した大規模・高精度異方性エッチング

研究課題

研究課題/領域番号 09650143
研究機関東京都立大学

研究代表者

諸貫 信行  東京都立大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (90166463)

研究分担者 内山 賢治  東京都立大学, 大学院・工学研究科, 助手 (90281691)
角田 陽  東京都立大学, 大学院・工学研究科, 助手 (60224359)
古川 勇二  東京都立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10087190)
キーワード高精度加工 / エッチング / シリコン / 形状精度 / 結晶面
研究概要

単結晶シリコンの異方性エッチングを用いると,特定結晶面から成る形状が容易に得られるため,高精度な加工が行える.しかし,マスクもエッチング液に侵されてしまうため,本加工法はミクロンオーダの微細形状加工に限って適用されている.本研究では,機械加工で予め所望の形状に加工してからエッチングを行うことで大規模かつ高精度な形状を創成する方法を検討した.
エッチングに先だって,へき開を利用した加工を行った場合の形状精度評価を行った.(110)シリコンウェハをへき開すると,へき開面である(111)面は,基板に対して垂直の側壁を構成する.(111)面はウェハ面内で70.5度で交わるような2方向に存在するため,例えば平行四辺形が容易に得られる.実験の結果,数mmの範囲では特定結晶面からなる高精度形状が得られることがわかった.
また,異方性エッチングで得られる形状の精度評価も十分に行えていないことから,エッチングのみの結果について評価を行った.その結果,(100)ウェハに加工したV溝は理論どおりの70.5でありことがわかり,結晶軸に対するマスク方位誤差が0.5度以下であれば,表面粗さ20nm程度が容易に得られることがわかった.
次いで,厚さ10mmの(100)シリコンを準備し,これに成形砥石で70.5度のV溝(深さ4mm)を加工した.これをエッチングして大規模な単一結晶面創成を試みた.エッチング時間が長くなることから,一般的な酸化膜ではなく,タングステン薄膜をマスクとして用いた.しかし,このマスクがエッチング中に剥離してしまい,十分なエッチングが行えなかった.しかし,仕上げ面をSEM観察したところ,砥石による加工痕がエッチングの進行に伴って滑らかになっていく様子がわかり,マスクを工夫することで高精度な形状が得られる見込みを得た

  • 研究成果

    (3件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (3件)

  • [文献書誌] N.Moronuki: "Microlinear Motion Bearing Produced by Aimsotropic Etching of Silicon" Annals of CIRP. 46・1. 151-154 (1997)

  • [文献書誌] 諸貫信行: "異方性エッチングによる微小形状標準の製作" 日本機械学会75期通常総会講演論文集. Vol.1. 71-72 (1998)

  • [文献書誌] 諸貫信行: "機械加工を併用した大規模・高精度異方性エッチング" 日本機械学会第1回生産加工・工作機械部門講演会. 予定. (1999)

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公開日: 1999-12-11   更新日: 2016-04-21  

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