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Sbの場合イオン注入によって形成されたアモルファス層の熱処理による再結晶過程でのSbの表面側への押し出しがパイルアップの一因であるというモデルを提唱した。実験的に、低ドーズ(1x10^<13>cm^<-2>)ではパイルアップが起こらないことを確認した。Asの場合はドーズを下げてもパイルアップは抑制できずSbとはパイルアップ形成のメカニズムが異なることを見いだした。上述のSbのパイルアップ形成メカニズムに基づき多重注入によるパイルアップ抑制法を提案し、基本的な効果を確認した。高速昇温が可能なRTA(rapid thermal anneal)装置を用いて比較的低温(800〜900℃)で短時間(10秒程度)の熱処理を行うことでSbのパイルアップが抑制できることを実験的に見いだした。深さ20nmという非常に浅い接合で500Ω/□という低抵抗の接合を得ることができた。SbとAsに関して様々なイオン注入条件、熱処理条件の元での深さ方向分布や電気的特性を系統的に評価・整理し、これらのドーパントの振る舞いを記述するモデルを今後構築するための基礎を築いた。
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