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原料ガスであるジメチルアルミニウムハイドライドと原子状水素を交互に基板に照射する原子状水素法によりアルミニウムの原子層堆積を試みた。基板はシリコン(100)で基板温度は100℃である。ジメチルアルミニウムハイドライドの照射のみでは成膜しなかったが、原子状水素と交互にジメチルアルミニウムハイドライドを照射することにより、薄膜が形成したが、膜は茶色く変色していた。
X線光電子分光法によりこの膜の組成を調べたところ、アルミナであることが判明した。そこで、成膜装置に四重極質量分析器を取り付けて、酸素の有無とその起源を調査した。成膜室に酸素が残留しているが外部からのリークは検出されず、真空ポンプ(ターボ分子ポンプ、到達真空度1×10^<-7>Torr)により排気しきれない大気によるものであると考えられる。このことから、アルミニウムは極めて酸化しやすいため、原子層単位で成膜を行うためには、成膜雰囲気中の酸素を完全に除去しなければならないことが判明した。
また、低温におけるジメチルアルミニウムハイドライドの照射と昇温を交互に繰り返す温度変調法による原子層堆積を試みた。基板はゲルマニウム(100)とした。これは、基板にシリコンを用いた場合、原料ガス中のメチル基がシリコンと反応してシリコンカーバイドを形成する恐れがあるからである。標準実験条件において、基板温度は低温時100℃、高温時400℃とした。温度変調法によっても成膜が確認されたが、この膜も変色しており、アルミナまたはそれに近い膜であると推測される。
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