| 研究概要 |
広範囲の電流密度(エネルギー傾斜)上の緩和に関する障壁エネルギーを得ることができれば・ピノポテンシャルの定量的な評価が可能となるが、そのためには、数ヵ月、数年に渡るクリープ特性の連続観察が必要となる。そこで、その解決法として高温励磁法を提案した。即ち、まず高温(To+△T)で超伝導体を励磁し、磁界を一定に保ったまま温度を下げ動作温度(To)にすれば、高温での低い電流密度に対応した、なだらかで長時間の経過後と同様な磁束分布を短時間で実現できる。即ち、高温励磁後の磁化緩和特性から、長時間(数十日相当を既に実現)の磁束クリープ(オフセット)特性を得る事ができる。この方法は、超伝導体内の磁束分布を任意に設定することでもあり、高温励磁後の磁化緩和は長時間経過後の緩和の物理的シミュレーションになり、従来は諦められていた数ヵ月以上の長期に渡る緩和特性を得ることができ、広い時間領域をカバーできる。本年度は、
・申請機器ローターセット(申請主要機器)で印加磁界に対して、細かに位置方向を設定し、磁束クリープ特性の温度、磁界依存性を測定した。
・同じく高温励磁後の磁束クリープ特性の温度スッテプ、温度、磁界依存性の測定、検討した。
シミュレーション結果とのフィッティングによって得られたピンポテンシャルの大きさは温度低下に伴い、従来の異常な減少とは異なり、微増する結果を得た。
その詳細をCEC/ICMC(in Port1and, Aug.1997)等で発表した。
|
