| 研究課題/領域番号 |
09650389
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| 研究機関 | 東洋大学 |
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研究代表者 |
菅野 卓雄 東洋大学, 工学部, 教授 (50010707)
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| 研究分担者 |
花尻 達郎 東洋大学, 工学部, 助教授 (30266994)
鳥谷部 達 東洋大学, 工学部, 教授 (20266993)
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| キーワード | 2次元電子状態 / 臨界膜厚 / サブヌレッショルド特性 / 伝達コンダクタンス特性 / シリコン超薄膜 / SIMOX基板 |
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| 研究概要 |
先ず、超薄膜シリコン中の2次元電子状態を考慮したMOSFETのモデリングの研究について、2次元電子状態の純粋な量子効果の寄与を評価するために、先ず完全な拡散-ドリフトモデルによる古典的モデリングの範囲内で完全反転型にすることのデバイス特性に与える寄与についての詳細な評価を行った。ここで新しい概念として、空乏層が完全に消滅し、反転する条件のシリコン層厚を導入し、デバイスシミュレーションの結果、その臨界膜厚以下で、サブスレッショルド特性、伝達コンダクタンス特性が共に大幅に向上することを見出した。次に、量子力学的モデリングの準備段階として2次元電子状態を考慮に入れて、シリコン超薄膜中の電子分布を膜の深さ方向に関する1次元モデルでシュレディンガー方程式およびポアソン方程式を連立させ、キャリア密度およびポテンシャルを自己無撞着的に求める段階まで完了した。次に、シリコン超薄膜を有するSIMOX基板の評価について、古典的モデリングでは影響が小さいと考えられたシリコン超薄膜と埋込み酸化膜との界面の凹凸の影響を明らかにすべく、MOSFETの動的特性を評価する為にC-1測定、DLTS測定システムの立ち上げを行った。
最後に、絶線物基板上へのシリコン超薄膜の作成について、本研究で購入したシリコン超薄膜成長用電子ビームガンを既存の超高真空装置に増設し、試料の温度校正、蒸着レートの条件出し等を行った。
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