マイクロ・スパッタリング技術を用いて、真空容器内の基板を直線的の移動させることで、連続して薄膜形成するための研究を行った。基板にはスライドガラス(38×12mm)、陰極ターゲットには純度99.99%の銀(Ag)を用い、平衡アルゴンガス圧力3×10-2Pa、印加電圧1.3kV、放電電流5mAの実験条件で、1回の薄膜形成時間2分で行った。陰極に設けたダクトのサイズを1.5×3mm、0.5×3mmとした場合に、それぞれ1.5mmずつ基板を移動させることで、30分の形成時間で1.5×20mm、0.5×17mmの銀薄膜を形成することができた。移動方向の膜圧分布は900Aとほぼ均一であった。この結果、基板を直線移動させることで、連続して薄膜を形成できることが確かめられた。引き続き、マイクロ・スパッタリング技術のエッチングモードに対しても連続エッチングの検討も行った。単結晶シリコン基板に、Ag陰極を用いてエッチングサイズФ100μm、Ф25μmのスポット経で、基板を回転させることにより、曲線のエッチングパタンを描かせることができた。上記の事実を基本に、新しいエッチング、スパッタリングを連続的に行える装置を設計し試作し、実験を行った。その結果、試料を移動させながら実験を進めたところ、エッチング面をスパッタリングさせることが可能であることがわかった。蒸着幕厚さと放電時間との関係はほぼ直線関係にあことが示された。
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