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高分子主鎖がケイ素-ケイ素結合からなるポリシランは、炭素-炭素二重結合を持つポリエンと同じように近紫外領域に吸収をもち紫外光照射により容易に分解することから、UVフォトレジスト材料として期待されている。ポリシランの電子線レジスト材料としての可能性をさぐるため、すでに一次元のポリシランについて放射線分解過程の分光学的研究をすすめ、電子線レジスト材料としても有望であることを明らかにしてきた。本研究では二次元的にひろがった種々の側鎖基(アルキル基もしくはアリール基)をもつ溶媒可溶性のシリコンネットワークポリマーを合成し、電子線レジスト材料としての感受性について検討を行う。光分解の場合は、励起状態が架橋部にトラップされ光分解量子収率が減少する。イオンラジカルを経る放射線分解反応においては小員環ラジカルイオンの生成が予測され、一次元のポリシランとは異なった分解挙動が期待される。カラムによりネットワークのサイズの異なったポリマーを分取し、分子構造と分解収率、ネットワークサイズと分解収率の相関を測定し、電子線レジスト材料に適した分子構造、ネットワークサイズを明らかにする。さらに、ネットワーク構造と一次元構造の感受性の違いを検討する。平成9年度では側鎖にn-プロピル基、n-ブチル基、n-ヘキシル基を有するネットワークポリシランの合成を行った。これらのポリシランについて高速液クロ分取システムを用いて、ネットワークサイズの違いによる分離を試みた。平成10年度では得られたポリシランについて放射線感受性を明らかにする予定である。
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