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1. ラット延髄孤束核のニューロンをパッチし、高張、低張の人工脳脊髄灌流液に切り換えて、あるいは電極ピペットから細胞体に陰圧あるいは陽圧を加え、放電頻度の変化を測定し、まず浸透圧受容性ニューロンの同定を行った。
2. さらに、このニューロンに段階的浸透圧刺激、段階的機械刺激(電極ピペットから細胞体に圧力)を加えその応答の変化を記録した結果、段階的な浸透圧の変化に比例して放電頻度が変化した。また、段階的機械刺激すなわち段階的圧力の変化にも同様に比例して放電頻度が変化した。
これらの結果から、孤束核の浸透圧受容性ニューロンは、細胞体の段階的な機械的変形に比例した応答を示す機械受容性ニューロンであると推察された。
3. さらに、孤束核浸透圧受容性ニューロンのチャネル解析を進めるために、高張で放電頻度が増加し、低張で減少する典型的浸透圧受容性ニューロンについて、そのコンダクタンスの変化を調べた結果、高張で増加し、低張で減少していることが分かった。これらの結果から、孤束核の浸透圧受容機構はイオンチャネルの開確率の変化によって調節されていると考えることができる。そして、このニューロンにstretch activated cationchannel blockerである塩化ガドリニウムを加え、応答の変化を調べた結果、高張では塩化ガドリニウムを加えることによって、加える前よりコンダクタンスが減少することから、高張で膜が萎縮しSA cation channelの開確率が上昇すると推察された。
4. これらの結果から、延髄孤束核に存在する浸透圧受容性ニューロンの受容機構には段階的、機械変形受容性のイオンチャネルが関与しており、典型的浸透圧受容性ニューロンにおいて、高張灌流液で膜が萎縮し、SAcation channelの開確率が上昇する可能性が示唆された。
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