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本研究では、不純物の高濃度δドーピングで形成される1原子層の結晶構造、II-VI/III-V、III-V/サファイアなどの異種接合結晶成長を行なった場合の界面の結晶構造、あるいは、表面偏析を起こす材料系での結晶表面の組成決定などにX線CTR散乱測定を利用し、その能力を確認することを目的とした。
これに対し本年度は、
・InP結晶中にδドーピングされたErの作る結晶構造を解析し、かつ、その拡散の様子を測定し拡散定数を決めた、
・ZnSe/GaAs異種接合層の界面の構造を解析し、異種接合層作製時の原料の切替え方により、界面構造が変化することを明らかにした、
・III族窒化物の基板として使用されるサファイア結晶の表面の平坦性が、高温窒素化処理により改善されることを明らかにした、
・サファイア基板上に形成されるIII族窒化物の結晶方位、表面構造を明らかにした、
などの研究成果を得た。
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