アビジンを金属電極表面に吸着させるとほぼ単分子層の表面修飾層が形成され、このアビジン修飾表面にビオチン標識酵素を作用させるとアビジンはビオチン部位を特異的に認識し、表面に酵素分子が単分子膜を形成する。この操作を繰り返すことにより、累積膜を形成できる。本研究ではまずこの方法を用いて、Choline OxidaseとCholine Esteraseの累積、、交互累積によってコリンセンサーとアセチルコリンセンサーを作成しその性能について調べた。アビジンの金属表面の吸着はほぼ単分子膜に形成できたが、吸着方向は縦と横の両方ある。横の方向で吸着されると、単分子膜の累積に不利である。本研究では、まずチオール類の自己集合膜を金表面に形成させ、チオールの長さ、末端残基の電荷、親水性などの違いによって、一層目のアビジンを分子レベルで規制した量ですべて同じ縦方向に吸着させ、単分子膜を作製した。金で被覆した水晶振動子上に累積膜を作製し、その際に1回の操作で吸着されるアビジン、ストレプトアビジンの重量をナノグラムレベルで測定し、単位面積当たりの分子数を算出し、吸着されるアビジン、ストレプトアビジンの方向を評価した。また、新規なアビジン、ストレプトアビジンの単分子膜の上で、累積膜を作製し、評価した。金電極表面に一層目に同じ方向でアビジン、ストレプトアビジンを単分子膜で修飾し、さらに累積膜形成に際して、単分子層の形成をコントロールできた。
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