| 研究課題/領域番号 |
09831003
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
藤原 賢三 九州工業大学, 工学部, 教授 (90243980)
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| 研究分担者 |
武内 道一 九州工業大学, 工学部, 助手 (60284585)
川島 健児 九州工業大学, 工学部, 助教授 (50284584)
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| キーワード | 半導体超格子 / 量子構造 / 光電流スペクトル / 光学遷移 / シュタルク効果 / 励起+効果 / 光電気効果 / 共鳴トンネル効果 |
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| 研究概要 |
光学遷移の電界制御の可能性を調べために、GaAs/AlAs超格子空間内での光学遷移過程を研究し、以下の結果が得られた。また、その結果の一部を論文として発表した。
1.GaAs/AlAs超格子の光電流スペクトルの電界強度依存性
非対称な量子井戸層ペアからなる、新しいタイプの二重周期超格子を真性層として含むp-i-nダイオード試料の極低温における光電流スペクトルを測定した。その結果、広い量子井戸層内の基底Stark階段準位と狭い量子井戸層内に局在する高エネルギーStark階段準位間の結合効果(反交差現象)を明瞭に観測し、非対称量子井戸内に個々に存在する二種類の局在正孔準位間とのバンド間遷移に関わる、二種類の光学遷移における反交差現象を明らかにすることが出来た。また、電界印加状態での光学遷移の振動子強度を理論的に評価し、遷移の選択制および共鳴結合効果に付随した励起子効果を初めて明らかにすることが出来た。
2.超格子のフォトルミネッセンス(PL)スペクトルの電界強度依存性
上記超格子ダイオードについての極低温PLスペクトルを電界強度の関数として測定し、2つの異なる波長でのPL相対強度の変化を明瞭に観測した。現在、光学遷移振動子強度の電界効果との関連について研究を進めている。
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