| 研究概要 |
Ce_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系のdHvA効果測定を行った。Ce低濃度領域では、LaRu2Si2で観測された全てのフェルミ面の連続的観測に成功した。その結果Ce_xLa_<1-x>Ru_2Si_2,混晶系において、Ceのf電子はCe低濃度領域でもフェルミ面に寄与している可能性が高いことを明らかにした。Ce低濃度領域における、詳細なdHvA効果測定はこれまで行われていないため本研究により初めて、Ce低濃度領域でもf電子はフェルミ面に寄与しているという知見が得られた。その結果は論文投稿中である。また、CeRu_2(Si_<1-x>Ge_x)_2においても、dHvA信号の観測に成功していて、この系では強磁性から反強磁に基底状態が変化する濃度でf電子は局在から遍歴に変化している可能性が高いことが明らかになった。その結果は論文投稿中である。
Ce_xLa_<1-x>Al_2,Ce_xLa_<1-x>Cu_6,の試料作製を行った。Ce_xLa_<1-x>Al_2はアニール効果を調べて試料の純良かを測ることに成功した。そのため混晶系においてもdHvA信号の観測に成功した。今後は、dHvA効果測定を系統的に行う予定である。一方Ce_xLa_<1-x>Cu_6は、LaCu_6の純良な試料の作製しdHvA信号の観測にも成功した。今後は、混晶系においてもdHvA信号が観測できることを確認し、dHvA効果測定を系統的に行う予定である。
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