| 研究概要 |
遷移金属酸化物において発現する抵抗変化メモリデバイスの電界誘起抵抗スイッチング動作を,ナノ構造体を用いた制限空間で発現させることによって物理起源の解析を行う.この解析によってメモリデバイスの産業応用上必要不可欠な最適化指針の提唱を行うことを目的としている.昨年度までにナノ構造体を用いたメモリデバイスの開発及び動作検証と基本的な動作メカニズムの解析に成功している.本年度は詳細なメカニズム解析と直接的な情報を得るために透過型電子顕微鏡観察と電気伝導特性評価を同時に行う機構の開発を行った.具体的な研究成果は
・プラナー白型ナノ構造メモリデバイスにおける作製条件の依存性の検証
・測定環境変調を利用したメカニズムの詳細な解析
・非対称電極構造を利用したメモリ動作の空間分布の検証
・透過型電子顕微鏡観察による同時解析のためのプラナー型ナノ構造メモリデバイスの開発
について成功した.
これらの成果が与えるインパクトは,通常の抵抗変化メモリの研究では解析困難であった固体内部の情報を,プラナー型ナノ構造メモリデバイスを導入することによってメカニズムを詳細に検討可能にした点,メンブレン基板をプラナー型ナノ構造メモリデバイスに適応することによって透過型電気顕微鏡の観察によって可視化可能にした点である.
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