表面・界面-異なる対称性の接点の物性

1998 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 09NP1201
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 八木 克道 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (90016072)
• 研究分担者: 興地 斐男 和歌山工業高等専門学校, 校長 (20029002) ; 新庄 輝也 京都大学, 化学研究所, 教授 (70027043) ; 吉森 昭夫 岡山理科大学, 工学部, 教授 (50013470) ; 塚田 捷 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (90011650) ; 一宮 彪彦 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00023292)
• キーワード: 表面・界面 / 表面、界面構造 / 表面動的過程 / 表面、界面物性 / シリコン表面 / 金属超格子 / 表面界面理論 / 第一原理計算

研究概要

研究全体の総括を以下のように行った。
◎ 研究会:昨年度と異なり、特別な課題について、理論実験共通のワークショップを開催した。「水素終端表面」、「ステップダイナミックス」、「半導体表面構造時空のゆらぎ」の3つの課題である。必要に応じて総括班からもサポートした。
3回の研究会のアブストラクトをまとめて印刷し、配布した。
◎ 研究計画の3年目ということで現地視察を8月に受け、12月にその評価を頂いた。2班の電子顕微鏡の立ち上げの遅れ、総括班員に応用寄り、および化学系の人も入れることが、望まれること、理論と実験とのより協力が望まれること、先端的な成果が望まれること、今後の検討研究課題等のコメントを頂いた。1月の総括班、実行班会議で対応を検討した。
◎ 昨年度計画し、文部省に申請していた国際シンポジウムが採択され、11月に3日間東工大で外国人招待者、国内招待者等外国人24名の参加も含めて総勢130人ほどの参加者のもとにを開催した。班員からの発表約60編を含み100編の発表があった。
プロシーデイングスはSurface Sci.特別号として印刷される。3月半ばの段階でほぼ編集が終えた。
その際外国人評価委員も含めて総括班会議を開き、意見を求めた。本プロジェクトが個人への支援だけでなく理論-実験グループの協力関係、表面・界面グループ間の協力も目的としていること等を説明した。
会議参加者には本プロジェクトの内容と進捗状況の英文パンフレットを配布して理解を得た。
◎ 1月に年度末の研究会を開き、その予稿を報告書としてまとめた。その際総括班会議と実行委員会を開催した。総括班会議では、研究進展と関連してトピックスのミニワークショップを開催することとした。
実行班会議では、現地視察の結果の検討を行った。総括班に2名新たにお願いすること、今後ますます理論と実験との協力、総合化、先鋭化を目指すこと等を検討した。また、研究者の異動に伴う班員の交代と来年度の公開講座の具体的プランを検討した。また、文部省の支援が無くても開催することとした。
本年度は主な装置として、エネルギー分析RHEED計測システム(一宮)、高分解能X線回折装置用4軸ゴニオメータ(松井)、背面LEED-AES光学系(富取)、ラジカルビーム源(一宮)、冷却CCDカメラシステム(服部)、自動シャッター付K-セル真空蒸着装置(一宮)などを購入し、これらに 加えて、前年度まで購入した装置および既存の装置を用いて以下の研究について成果を得た。
シリコン表面におけるAu吸着構造についてビームロッキングRHEED法および走査トンネル顕微鏡法(STM)により解析し、Si(111)表面における金吸着系の状態図を完成させ、またそれらの構造の間の共通性を明らかにした。Si(111)表面上に形成されたナノ構造の熱崩壊のSTMによる観察から崩壊におけるステップの挙動と、機構を明らかにするとともに、崩壊速度のスケーリング則が成り立つことを明らかにした。またGaAs表面上における、GaAsエピタキシャノレ成長中のRHEED強度を詳細に測定し、成長条件、特に砒素圧とGa蒸着量の比率により種々な構造を示すことを明らかにするとともに、RHEEDロッキング曲線から、それらの構造に共通点があることを明らかにした(一宮)。精密X線光学系を用いたX線定在波法により、青色発光素子として注目されている材料であるGaNについて、特にサファイア基板上に成長したGaN薄膜の極性(結晶の裏表)を決定した。シンクロトロン放射光(高エネルギー加速器研究機構)を用いた表面X線回折法により、シリコン基板上の銀薄膜の成長過程をその場観察した。この結果、表面から界面への特徴的な構造の変化があることを明らかにした。シンクロトロン放射光(高エネルギー加速器研究機構)を用いた極微小角入射X線回折法によりゲート酸化膜上の多結晶シリコンの状態により界面近傍のシリコン基板側の格子歪みが変化することを理論計算との比較から明らかにした(秋本)。X線光電子回折(XPD)、後方散乱中速電子回折などにより、シリコンおよびInPなどの半導体表面における構造解析を行った。またメタンとトリn-ブチルフォスフィンを原料ガスとするガスソースMBE法により、ダイヤモント薄膜のホモエピタキシャル成長を可能とし、XPDおよびRHEEDにより結晶評価を行った。またマイクロ電子ビームを用い、シリコン表面上にプラズマCVD法により成長させたダイヤモンド微結晶の2次電子特性と構造および組成を明らかにした(河野)。エネルギー分析器を備え付けた電界放射型(FE)-STMの性能向上のための調整を続けて、局所的電子励起ができる走査型電界放射プローブ顕微鏡として動作させ、深針から電界放射させた一次電子励起によるプラズモン損失過程やオージェ過程による後方散乱電子スペクトルを調べた.深針と試料間に小型のシールに電極を導入することにより、電界の影響で検出効率が低下する効果を抑制させた.また、除振呟能を向上させたのでSTM動作時の空間分解能も向上した.Si(001)を中心として電界放射STM法を応用して、試料-探針間の真空ギャップ中に電子定在波を励起させ、金属試料との差や、伝導型の違いが励起スペクトルに与える影響を調べた.
本手法では、探針の熱電界印加処理によって得られるスペクトルの再現性が向上すること、また、探針の曲率によってスペクトルのピーク間隔が変わることも確認した.また、AFM用Siカンテレバー先端の処理にも熱電界印加処理法を適用し、超高真空中で探針試料間距離-相互作用力曲線を測定し、処理の効果を確認している(富取).Ag(001)の上に室温で、ナトリウムとカリウムの共吸着の実験をおこない、置換吸着はナトリウム、単純吸着はカリウムと、アルカリ金属原子のサイズに応じて自分の持ち場を分担してSAS構造を形成することがLEED解折からわかった。走査トンネル顕微鏡(STM)によるSi(111)7x7形成のその場観察をおこない、形成過程の詳細を明らかにすることができた。さらに、ザイズ変換過程のより詳細を解明することができた(栃原)。Cu(100)上の[γ-Fe/Cu]多層膜の構造と磁性に及ぼす界面の効果として、γ-FeはCuとの界面においてhigh spin stateが安定化されることと、1〜4MLの超薄膜の領域で強磁性モーメントの増大、立方晶から正方晶への構造転移、垂直磁気異方性の発現、キューリ温度の低下などが起きることが明らかになった。Cu(111)上のγ-Feの成長において、超高真空中ではα-Feとなり、真空度が悪いと酸素原子のサーファクタント効果によってγ-Feが層状に近い成長をすることが判明した。[α-Fe/Au(100)]多層膜の構造と磁気モーメント及びキューリ温度を決定した。強磁性トンネル接合Fe/A12O3/FeCoの界面構造と磁気抵抗効果の関係を検討した。La-Ca-Mn-O酸化物単結晶薄膜の電気伝導と基板のミスフィット歪みとの関係を明らかにし、伝導の異方性が変化することを示した(松井)。フェルミ面を含む価電子帯の詳細な解析を「直線偏光2次元角度分解光電子分光」を、表面構造解析を「円偏光2次元光電子回折」により行った。「直線偏光2次元角度分解光電子分光」については、価電子バンドの電子状態について、その構成原子軌道を詳しく特定できるような方法をシミュレーションにより解析した。励起光を試料表面に垂直に入射し、光の偏光方向と表面の面内単位格子軸の成す角をφ、表面垂直方向と光の入射方向とのなす角をθとする。光電子放出角度分布(PEAD)パターンの(θ,φ)依存性を解析し、軌道の対称性を効率的に決める手法を開発した。「円偏光2次元光電子回折」の準備としては、エネルギー分解能を10倍以上高めた分析器を島津製作所と製作して、SPring8の円偏光ビームラインBL25に設置している。現在組み立て設置を終えて、電子銃の調整んどの作業を行っている(服部)。以上の研究において、半導体表面および界面の構造については班内の協力により行わなれている。またSi-Au系および磁性薄膜の研究は2班との協力、ナノ構造、GaAs構造およびアルカリ吸着金属表面構造については理論班との協力により行われている。
本研究計画のおいて主要な研究機器である表面・界面観察用電子顕微鏡について、今年度は多目的試料室をドッキングさせ装置を完成させた。Au微粒子の観察においては、(001)面の5倍の再構成構造が原子レベルで観察出来ること、Si(111)表面の観察では、清浄な表面からのRHEED図形、REM像において初めてエネルギー選別を行い、弾性散乱、非弾性散乱の図形、像を得るのに成功し、弾性散乱像においてはコントラストが明瞭になること、REM像で2.3nmを等分する1.15nmの格子像を得るのに成功している。また、理論的にも予想される表面ブラズモン励起非弾性散乱電子においても格子縞が観察されることを実験的に初めて明瞭に示すことが出来た。その他、電顕観察において、吸着誘起ステップバンチングとファセット形成の観察をCu、Auに対して実行し、高指数表面における興味ある構造変化、ファセット形成の動的過程の解析を行い、温度に依存したカイネテイックスの存在を始めて実験的に明らかにすることが出来た(八木)。Si(001)基板上へのCoSi_2エピタクシャル成長に対して、成長初期過程の解明と表面モルフォロジーに与える欠陥(ダイマー欠損サイトが核形成サイトとなること)やサーファクタント的な役割を果たして平坦な成長膜の形成を促進している酸素の効果を明らかにした(財満)。高速電子が孤立球近くを通過する際の発光スペクトルに、多重極モードの発光ピークを見出した。また、STM発光のスペクトルから、探針Ag試料表面との間における表面プラズモンによる発光およびピークの解析から多重極モードの発光であると解釈出来るものが観察された(山本)。非晶質Nb(1.5nm)膜にAg,Cu,Ge,Si,B膜を積むと、界面効果で超伝導転移温度が元素によらずに上昇する新しい現象を見出した。普遍的な界面効果と考えられ、理論的な検討を行っている。また、ステップや重イオン打ち込み生成欠陥の周辺の準粒子局在状態密度のSTS観察によりd_<x2-y2>対称性の存在を示した(西田)。特異な表面系として、高品位酸化物単結晶膜の作製をRu(0001)/α-Al_2O_3-Ni(111)/SiO_2において成功し、膜を通したSTSの測定が出来ることがわかった。膜を薄くするとバンドギャップが小さくなるという興味ある結果が得られた。この結果は孤立した薄膜の場合と逆の傾向にあり、鏡像効果の可能性を検討している。(村田)。Si(111)4x1-In表面構造が130K以下で8x2構造に相転移することを見出し、電子回折、STM、電子分光測定等を総合してこれがパイエルス転移であることを明らかにした。Si(111)√3x√3-Ag構造が60Kで非対称蜂の巣構造になることを見出し、協力した理論グループが第一原理計算で新構造の安定性を示すことが出来た(長谷川)。Pt(111)面上のNO吸着構造が被覆率に依存して2種類存在することを見出し、理論グループと協力してこの構造に対する電子状態の研究を行っている。このようなPt(111)面上の層成長するAg膜についてNO吸着の過程を赤外吸収分光法で調べ、Ag膜は単原子層でもAg(111)面として振る舞うことを明らかにした。また、共鳴核反応法でCu上の水素のゼロ点振動解析を行い、従来の報告より大きな値を得た(福谷)水素終端Si表面におけるCuの成長が、吸着構造に大きく依存することを見出し、その原因を探るべくLEEM観察をはじめている(越川)。
GaAs微細加工探針を用いてスピン偏極STMを試み、Co磁気分域の像を観察した。磁区構造がはっきりとした微細加工試料の作成を班内で協力して行っている。また、界面の対称性が重要な役割を果たしていると思われるFeRh(反強磁性)/FeNi(強磁性)膜の界面効果で、保持力の増加を観察した(鈴木)。Cr薄膜は複雑な反強磁性を示すが、Snがよいプローブであることを初めて見出した。界面ラフネスのGMRへの効果の実験的検討を行っているが結論には至っていない。また、微細加工技術と、GMRを利用した新しい磁化の反転機構測定法を開発し、サブミクロン細線での磁壁の移動を計測するのに成功した(新庄)希土類と鉄族遷移金属の非晶質多層膜において、スパッタ膜の法が蒸着膜に比べて界面が平滑であること、垂直磁気異方性、構造異方性をEXAFS解析等で明らかにし、良い相関を得ることが出来た(綱島)。
GaAs(100)表面のエピタキシャル結晶成長における拡散バリアーの値を、2成分モンテカルロシミュレーションを実行し決定した。またGa終端のGaAs(100)表面の第一原理計算を実行、As原子の拡散エネルギーの異方性を見出した。As原子の方がGa原子より表面上を移動しやすいことを明らかにした。(石井)水素終端Si(100)表面の昇温脱離の理論解析を行い,吸着励起状態の重要性を確認した。Ru(001)表面の吸着3フッ化燐の歯車様回転運動相関については回転の自由度を含めた吸着分布をシミュレーションで求め,実験結果を説明することに成功した.八木グループとの共同研究として,金吸着シリコン(100)5x3表面の異方的近距離秩序の理論的解析を開始した.(吉森)密度汎関数法、あるいはtransferrable tight binding模型による数値計算を実行し、水素化シリコン表面への飛来原子の吸着形態、拡散機構を調べた。表面に存在する原子ステップ近傍での拡散に特に着目し、ステップ近傍でのシンクがエピタキシャル成長での薄膜のモフォロジーを左右することを明らかにした。またダイヤモンド表面構造と表面フォノン系の特徴を明らかにした。(押山)フラーレン-アルカリ金属複合クラスター系の体積エネルギー、表面エネルギー、界面エネルギーを詳細に明らかにした。(斎藤)へテロエピタクシャル成長のモンテカルロシミュレーションのための新しいアルゴリズムを開発した。これをSi(100)面上のGeの成長に適用し、格子不整合による歪みの効果により、成長温度とともに成長島が2次元から3次元になる機構が解明された。(川村)密度汎関数法に基づく第一原理計算により、遷移金属表面の吸着系構造の安走性について、表面に特有な電子状態との関連性を調べた。またLi原子が吸着したCu(001)表面系に対してSTMイメージを計算し,実験結果との直接的な比較を行った。(小口)Si(001)2×1表面に吸着した、ペンタセン分子の電子状態を求め、STM像をよく再現する結果を得た。(山口) Si(100)面の異方的欠損ダイマー構造の安走性とSi(111)微斜面の表面融解を,経験的原子間ポテンシャルを用いて調べた。ダイマー方向に整列したクラスタの成長は発熱反応で進行するが、ダイマー列方向に整列したクラスタの成長は発熱反応と吸熱反応を交互に繰り返して進行することを見い出した.
微斜面では平坦面に比し低温で表面融解が起こり、平坦面の表面融解はアドアトム被覆下のみで観測されたが、微斜面ではアドアトム被覆が無くても表面融解が生じることが分かった。(名取)時間分解2光子光電子放出と和周波数生成(SFG)において、過渡信号に対するレーザパルスの時間幅および形状の影響を簡単な密度行列法を用いて解析した。SFG過渡特性では、実験的に観測されている時間分解SFGスペクトルの過渡特性を定性的に説明した。また、時間分解2PPEでは、最近の実験で観測されているエネルギー緩和時間とパルス時間幅の相対的な大小関係に大きく依存する過渡信号の特徴を明らかにした。(上羽)強磁性体からなる微小二重トンネル接合における電気伝導と磁気抵抗効果を、クーロンブロッケード効果、ドット内におけるスピン緩和時間、ドット準位の離散性を収り入いれて解析した。得られた結果をトンネル障壁内に磁性ドットを配列したハイブリッド型トンネル接合に適用した。(井上)第一原理密度汎関数法計算を用いて、水素終端Si(001)表面上のAsおよびAl原子細線,Si(100)表面と水との相互作用の理論、特にプロトンリレー型解離吸着機構の発見、Ge(100)表面構造の種々の安定および準安走構造のエネルギー比較とダイマーの時空揺らぎシミュレーションへの応用、Si(100)表面へのアセチレン吸着層構造の決定、清浄およびAg吸着Si(111)3x3-Ag表面の構造決定などがある。また第一原埋リカージョン伝達行列法を応用して、Al,Na,Auなどの原子ブリッジの量子伝導現象を原子論的な立場から明らかにし、分子架橋構造の興味深い内部電流の様相を見いだした。さらに水素終端Si(001)表面の局所励起で誘導される動力学について理論的な検討を行った。本年度開発した非接触原子間力顕微鏡の理論を研究し、第一原理計算による化学領域の原子間力から、実験のncAFM像を理論的に構成する方法を開発した。(塚田)

研究成果

• [文献書誌] A.Ichimiya,Y.Tanaka and K.Hayashi:"Relaxation of nanostructures on the Si(111)(7x7)surface by high-temperature scanning tunneling microscopy," Surface Review and Letters,. 5. 821-832 (1998)
• [文献書誌] E.A.Khramtsova and A.Ichimiya:"Comparative study of room-and high temperature Si(111)-(√3×√3)R30° -Au structures using one-beam RHEED intensity rocking curve analysis," Phys.Rev.,. B57. 10049-10053 (1998)
• [文献書誌] E.A.Khramtsova,H.Sakai,K.Hayashi,A.Ichimiya:"Study of the Si(111)“1x1"-Au surface using reflection high-energy dlectron diffraction and scanning tunneling microscopy," Jpn.J.Appl.Phys.,. 37. 6511-6518 (1998)
• [文献書誌] H.Sakai,E.A.Khramtsova and A.Ichimiya: "Metastable ordering of domain walles into Si(111)(√21×√21)R10.9°-Au structure studied by reflection high-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy," Jpn.J.Appl.Phys.,. 37. L755-L757 (1998)
• [文献書誌] E.A.Khramtsova,H.Sakai,K.Hayashi and A.Ichimiya:"One monolayer of gold on Si(111)surface:Surface phase and phase transitions," Surface Sci. 印刷中. (1999)
• [文献書誌] T.Emoto,K.Akimoto and A.Ichimiya:"Strain field observed at the SiO2/Si(111)interface," Surface Sci 印刷中. (1999)
• [文献書誌] K.Akimoto,T.Emoto and A.Ichimiya:"Surface and Interface Strains studied by X-Ray Diffraction," Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,. 505. 409-414 (1998)
• [文献書誌] T.Yasoshima,T.Koyama,K.Akimoto,A.Ichimiya,C.Sasaoka,and A.Usui:"Polarity Determination of GaN Thin Films by X-Ray Standing Wave Method," Proc.of the 2nd Int.Symp.on Blue Laser and Light Emitting Diodes,Chiba,. 620-623 (1998)
• [文献書誌] K.Akimoto,M.Lijadi,S.Ito,and A.Ichimiya:"Interface structure and preferred orientation of Ag/Si(111)revealed by X-ray diffraction," Surf.Rev.Lett.,. 5. 719-722 (1998)
• [文献書誌] T.Emoto,K.Akimoto,and A.Ichimiya:"Observation of Strain Field near Si(111)7×7 Surface with New X-Ray Diffraction Technique," J.Synchrotron Radiation,. 5. 964-966 (1998)
• [文献書誌] H.Tochihara,W.Shimada,H.Yamamoto,M.Taniguchi,A.Yamagisi:"In situ scanning tunneling microscopy observation of the unreconstructed region in the quenched Si(111)surface" J.Phys.Soc.Jpn.67. 1513-1516 (1998)
• [文献書誌] H.Tochihara,Y.Nakamura,H.Kawai,M.Nakayama,T.Sato,T.Sueyoshi,T.Amakusa,M.Iwatsuki:"Little Influence of kinks on the formation ofc(4x2)domains in a Si(001)surface at low temperature," J.Phys.Soc.Jpn.67. 2330-2334 (1998)
• [文献書誌] T.Kato,Y.Saigo,M.Uchibe,H.Tochihara and W.Shimada:"Cell model of Si(111)7x7 structure," Surf.Sci.,. 46. 112-120 (1998)
• [文献書誌] H.Tochihara and S.Mizuno:"Composite surface structures formed by restructuring-type adsorption of alkali-metals on fcc metals," Progress in Surface Science,. 58. 1-74 (1998)
• [文献書誌] W.R.A.Huff,M.Shimomura,N.Sanada,G.Kaneda,T.Takeuchi,Y.Suzuki,H.W.Yeom,T.Abukawa,S.Kono and Y.Fukuda:"Angle-resolved photoelectron spectroscopy study of the InP(001)-(2x4)surface electronic structure," Phys.Rev.B57. 10132-10137 (1998)
• [文献書誌] T.Abukawa,T.Shimatani,M.Kimura,Y.Takakuwa,N.Muramatsu,T.Hanano,T.Goto,W.R.A.Huff and S.Kono: "Dimer structure of clean Si(001)surface studied by grazing-incidence back-scattering MEED," J.Electron Spectro.& Related Phenomena. 88/91. 533-538 (1998)
• [文献書誌] T.Abukawa,L.S.O.Johansson,E.L.Bullock,L.Patthey and S.Kono: "Anomalous diffraction effect on the Si 2p core-level photoemission from Si(001)2x1-Cs surface,J." Electron Spectro. & Related Phenomena. 88/91. 539-543 (1998)
• [文献書誌] W.R.A.Huff,M.Shimomura,N.Sanada,G.Kaneda,T.Takeuchi,Y.Suzuki,H.W.Yeom,T.Abukawa,S.Kono and Y.Fukuda:"InP(100)(2x4)surface electronic structure studied by angle-resolved photoelectron spectroscopy," J.Electron Spectro. & Related Phenomena. 88/91. 609-612 (1998)
• [文献書誌] R.Gunnella,E.L.Bullock,L.Patthey,C.R.Natori,T.Abukawa,S.Kono and L.S.O.Johansson: "Surface-core-level-shift low-energy photoelectron diffraction:the 2x1-Si(001)surface," Phys.Rev.B57. 14739-14748 (1998)
• [文献書誌] K.-S.Kim,Y.Takakuwa,T.Abukawa and S.Kono: "RHEED-AES observation of In desorption on a single-domain Si(001)2x1 surface," Surf.Sci.410. 99-105 (1998)
• [文献書誌] R.Kosugi,S.Sumitani,T.Abukawa,Y.Takakuwa,S.Suzuki,S.Sato and S.Kono: "X-ray Photoelectron diffraction study of Si(001)c(4x4)-C surface," Surf.Sci.412/413. 125-131 (1998)
• [文献書誌] M.Shimomura,N.Sanada,G.Kaneda,T.Takeuchi,Y.Suzuki,Y.Fukuda,W.R.A.Huff,T.Abukawa,S.Kono,H.W.Yeom,and A.Kakizaki:"X-ray photoelectron diffraction and surface core-level shift study of clean InP(001)," Surf.Sci.412/413. 625-630 (1998)
• [文献書誌] M.Shimomura,T.Abukawa,M.Higa,M.Nakamura,S.M.Shivaprasad,H.W.Yeom,S.Suzuki,S.Sato,J.Tani and S.Kono:"The overlayer structure on the Si(001)2x3-Ag surface determined by x-ray photoelectron diffraction," Surf.Rev.Lett.5. 953-958 (1998)
• [文献書誌] T.Abukawa,T.Hanano,C.M.Wei and S.Kono: "Correlated thermal diffuse scattering in low to medium energy electron diffraction:A new structural tool" Phys.Rev.Lett.82. 335-338 (1999)
• [文献書誌] S.kono,T.Goto,Y.Ogura and T.Abukawa: "Surface Electromigration of Metals on Si(001):In/Si(001)," Surf.Sci.420. 200-212 (1999)
• [文献書誌] Y.Suganuma and M.Tomitori:"Differential conductance imaging of Si and Ge Islands deposited on Si(001)by scanning tunneling microscopy," Jpn.J.Appl.Phys.37. 3789-3792 (1998)
• [文献書誌] T.Arai and M.Tomitori:"Removal of contamination and oxide layers from UHV-AFM tips," Appl.Phys.A. 66. S319-S323 (1998)
• [文献書誌] H.Daimon,R.Ynzunza,F.J.Palomares,H.Takagi,and C.S.Fadley:"Direct Structure Analysis of W(110)(1x1)-O by Full-Solid-Angle X-ray Photoelectron Diffraction with Chemical-State-Resolution," Surf.Sci.408. 260-267 (1998)
• [文献書誌] Y.Saitoh,T.Nakatani,T.Matsushita,T.Miyahara,M.Fujisawa,K.Soda,T.Muro,S.Ueda,H.Harada,A.Sekiyama,S.Imada,H.Daimon and S.Suga:"Twin helical undulator beamline for soft X-ray spectroscopy at Spring-8," J.Synchrotron Rad.5. 542-544 (1998)
• [文献書誌] H.Daimon,R.X.Ynzunza,F.J.Palomares,E.D.Tober,Z.X.wang,A.P.Kaduwela,M.A.Van Hove,and C.S.Fadley:"Circular Dichroism in Core-Level Emission from O/W(110):Experiment and theory," Phys.Rev. B15. 9662-9665 (1998)
• [文献書誌] K.Nakatsuji,H.Daimon,T.Furuhata,H.Takagi,M.Fujikawa,S.Suga,T.Miyahara,A.Yagishita,C.-H.Solterbeck,and W.Schattke:"Observation of circular dichroism in angular distribution of the valence band photoelectron from Si(001)in UPS region," J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom.88-91. 213-218 (1998)
• [文献書誌] M.Kotsugi,H.Daimon,K.Nakatsuji,T.Okuda,T.Furuhata,M.Fujikawa,H.Takagi,Y.Tezuka,S.Shin,K.Kitahama,T.Kawai,and S.Suga:"Symmetry Analysis of the Fermi Surface of Bi2Sr2CaCu2O8 by Display Analyzer," J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom.88-91. 489-493 (1998)
• [文献書誌] T.Okuda,H.Daimon,K.Nakatsuji,M.Kotsugi,S.Suga,Y.Tezuka,S.Shin,T.Hasegawa,and K.Kitazawa:"Two-dimensional angle resolved resonance photoelectron spectroscopy of 1T-TaS2," J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom.,. 88-91. 287-292 (1998)
• [文献書誌] T.Okuda,H.Daimon,M.Kotsugi,K.Nkatsuji,M.Fujikawa,S,Suga,Y.Tezuka,S.Shin,M.Kasai,and Y.Tokura:"Fermi Surface of Sr2RuO4 studied by two-dimensional angle resolved photoelectron spectroscopy," J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom.88-91. 473-477 (1998)
• [文献書誌] S.Imada,H.Daimon,S.Suga,他17名: "Effect of Coster-Kronig decay on Ce 3d-4f resonant photoemission spectra of CeOs2," J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom.88-91. 419-424 (1998)
• [文献書誌] H.Daimon,S.Imada,H.Namatame,他16名: "Temperature-Dependent Change of Correlated Electronic States in Yb4As3 and Yb4(As1-xSbx)3 Probed by High Resolution photoemission Spectroscopy" J.Phys.Soc.Jpn.67. 3552-3560 (1998)
• [文献書誌] S.Suga,H.Harada,T.Iwasaki,T.Muro,T.Matsushita,A.Sekiyama,S.Imada,H.Daimon,H.Ishii,A.Fujimori,A.Ochiai,T.Suzuki: "Correlated electronic states of Yb4As3 studied with photoemission," J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom.88-91. 315-319 (1998)
• [文献書誌] K.Hattori,K.Shudo,M.Ueta,T.Iimori,and F.Komori:"Hydrogen-Chlorine Exchange Reaction on Si(111)-7x7 studied with STM," Surf Sci.402/404. 170-173 (1998)
• [文献書誌] F.Komori,T.Iwaki,K.Hattori,O.Shiino and T.Hasegawa: "Tunneling spectroscopy around the boundary of a small impurity phase on the surface of 2H-NbSe2," Appl.Phys.A66. S135-S138 (1998)
• [文献書誌] F.Komori,K.Hattori,and T.Iwaki:"Spatial Change of Tunneling Spectra around Small Iron Islands on Surfaces of Superconducting 2H-NbSe2," J.Phys.Soc.Jpn.67. 2614-2617 (1998)
• [文献書誌] H.Ofuchi,T.Kubo,N.Matsumoto,M.Tabuchi,Y.Takeda,Y.Yamada and M.Matsui:"Local structures around Fe atoms and magnetic properties of [fcc-Fe/Cu]multilayers," Applied Surface Science. 130-132. 899-903 (1998)
• [文献書誌] M.Arita,A.Kuwahara,Y.Yamada,M.Doi,M.Matsui:"Microstructure of Fe/Cu(Au)artificial superlattice," Thin Solid Films,. 318. 180-183 (1998)
• [文献書誌] H.Asano,J.Hayakawa and M.Matsui:"Magnetotransport in perovskite series Lan-nxCal+nxMnnO3n+1 ferromagnets," phys.Rev.B57. 1052-1056 (1998)
• [文献書誌] J.Hayakawa,H.Asano,and M.Matsui: "Strain Effect in La1-xCaxMnO3 thin Films," Journal of Magnetic Society of Japan,. 23. 102-104 (1999)
• [文献書誌] Y.Yamada,B.Sadah,C.Lee,M.Doi,and M.Matsui:"Magnetic critical Behavior of γ-Fe/Cu Multilayer," Journal of Magnetic Society of Japan,. 23. 575-577 (1999)
• [文献書誌] A.V.Latyshev,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi: "Electromigration and gold-induced step bunching on the Si(111)surface." Surface Sci.401(1998)23.-33. 401. 23-33 (1998)
• [文献書誌] T.Shimakura,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi: "In-situ study of gold-induced surface structures and step rearrangements on the Si(001)surface by high-temperature STM." Surface Sci.407. L657-L664 (1998)
• [文献書誌] K.Aoki,T.Suzuki,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi: "Au adsorption induced faceting and phase transitions of facet planes on the Si[110]zone studied by UHV-REM" Surface Sci.408. 101-111 (1998)
• [文献書誌] A.V.Latyshev,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi: "Adatom effective charge in morphology evolution on Si(111)surface." Appl.Surface Sci.130-132. 60-66 (1998)
• [文献書誌] H.Minoda,K.Yagi,F.-J.Meyer zu Heringdorf,A.Meier,D.Kaehler,M.Horn von Hoegen: "Gold-induce Faceting on a Si(001)Vicinal Surfaces:Spot Profile Analyzing LEED and Reflection Electron Microscopy Study." Phys.Rev.B59. 2363 (1999)
• [文献書誌] N.Kurahashi,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi: "In-situ REM study of Au-induced faceting on high index Si Surfaces." Proc.ISSIPDSC-98 Surface Sci.(1999)
• [文献書誌] T.Nagao,K.Tsuchie,S.Hasegawa,S.Ino,C.Voges,H.Pfnuer,M.Henzler: "Structural phase transitions of Si(111)-(√3×√3)R30-Au:phase transitions in domain wall configurations" Physical Review. B57. 10100-10109 (1998)
• [文献書誌] X.Tong,C.-S.Jiang,and S.Hasegawa: "Electronic structure of the Si(111)-√21×√21-(Ag+Au)surface" Physical Review. B57. 9015-9023 (1998)
• [文献書誌] X.Tong,Y.Sugiura,T.Nagao,T.Takami,S.Takeda.S.Ino and S.Hasegawa: "STM observations of Ag adsorption on the Si(111)-√3×√3-Ag surface at low temperatures" Surface Science. 408. 146-159 (1998)
• [文献書誌] S.Hasegawa,C.-S.Jiang,Y.Nakajima,T.Nagao,and X.Tong: "Surface electrical conduction correlated with surface structures and atom dynamics" Surface Review and Letters. 5. 803-819 (1998)
• [文献書誌] N.Sato,T.Nagao.S.Takeda,and S.Hasegawa: "Electron standing waves on the Si(111)-√3×√3-Ag surface" physical Review. B59. 2035-2039 (1998)
• [文献書誌] K.Mibu,S.Tanaka and T.Shinjo: "Preparation and Mosbauer study of epitaxial Cr/Sn multilayers" J.Phys.Soc.Jpn.67. 6. 2633-2636 (1998)
• [文献書誌] T.Emoto,N.Hosoito and T.Shinjo: "Magnetic polarization in Au layers of Au/M multilayers with 119Sn probes studied by Mossbauer spectroscopy" J.Magn.& Magn.Mater. 189. 136-148 (1998)
• [文献書誌] K.Mibu,T.Nagahama,T.Shinjo and T.Ono: "Magnetoresistance of Bloch-wall-type magnetic structures induced in NiFe/CoSm exchange-spring bilayers" Phys.Rev.B58. 10. 6442-6446 (1998)
• [文献書誌] T.Nagahama,K.Mibu and T.Shinjo: "The Magnetization process and magnetoresistance of exchange-spring bilayer systems" J.Phys.D:Appl.Phys.31. 43-49 (1998)
• [文献書誌] K.Mibu and T.Shinjo: "Magnetic anisotropy in Fe/rare-earth multilayers" Hyperfine Interactions. 113. 287-293 (1998)
• [文献書誌] T.Ono and T.Shinjo: "Anisotropic structure and GMR in Fe/Cr multilayers on SrTiO3(100)substrates with step terraces." Proc.ISSIPDSC-98 Surface Sci.(1999)
• [文献書誌] X.Y.Yu,A.Sugie,Y.Fujiwara,S.Iwata and S.Tsunashima: "Dependence of Magneto-Optical Spectra on Bilayer Periods in NdGd/FeCo Multilayers" J.Magn.Magn.Mat.177-181. 1203-1204 (1998)
• [文献書誌] S.Oikawa,A.Shibata,S.Iwata and S.Tsunashima: "Crystal Structure and Magnetic Properties of Rh/Co/Rh Sandwiches" J.Magn.Magn.Mat.177-181. 1273-1274 (1998)
• [文献書誌] T.Kato,S.Iwata,M.Yasui,K.Fukawa and S.Tsunashima: "Magneto-Optical Spectra of(Mn1-xMx)Pt3(M=Fe,Co)Ordered Alloy Films" J.Magn.Magn.Mat.77-181. 1427-1428 (1998)
• [文献書誌] T.Kato,S.Oikawa,S.Iwata,J.Yamada and S.Tsunashima: "Magneto-Optical Spectra of Ultrathin Co Films Sandwiched by Pt Layers" J.Magn.Soc.Jpn.22-S2. 201-204 (1998)
• [文献書誌] T.Kato,S.Iwata,M.Kokuryu and S.Tsunashima: "Perpendicular Magnetic Anisotropy and Magneto-Optical Spectra a MBE Grown MnPt3/Co Multilayers" J.Magn.Soc.Jpn.22-S2. 85-88 (1998)
• [文献書誌] W.Nabhan and Y.Suzuki: "Ferromagnetic domains imaging with a spin-polarized STM using GaAs tips" Applied Physics. A66. S101-S105 (1998)
• [文献書誌] Y.Yokovama,M.Uskura,S.Yuasa,Y.Suzuki,H.Miyajima and T.Katayama: "MFM observation of magnetic phase transitions in ordered FeRh systems" Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 22-S2. 201-204 (1998)
• [文献書誌] S.Yuasa,T.Katayama,K.Murata,M.Usukura,Y.Suzuki: "Epitaxial growth and magnetic properties of B2-type ordered FeRh alloys" Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 177-181. 1296-1298 (1998)
• [文献書誌] S.Yuasa,T.Katayama,M.Nyvlt,and Y.Suzuki: "Magnetoresistance in single Fe(001)ultrathin films" Journal of Applied Physics. 83. 7031-7033 (1998)
• [文献書誌] Y.Suzuki,W.Nabhan,R.Shinohara,K.Yamaguchi,and T.Katayama: "Spin-sensitive scanning tunneling microscopy using GaAs optically pumped tips" Journal of Magnetism and Magnetic Materials. (in press).
• [文献書誌] K.Fukutani,T.T.Magkoev.Y.Murata,M.Matsumoto,T.Kawauchi,T.Magome,Y.Tezuka,and S.Shin: "Electronic structure of a Pt(111)-Ge Surface Alloy and Adsorbed CO" J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom. 88-91. 597-601 (1998)
• [文献書誌] K.Fukutani,M.-B.Song and Y.Murata: "State-selective study of photodesorption at modified metal surfaces" Proceeding of SPIE. 3272. 160-166 (1998)
• [文献書誌] T.Kawauchi,K.Fukutani,T.Okano,S.Kishimoto,X.Zhang: "Detection efficiency of single electron by Avalanche photodiode" J.Vac.Soc.Jpn. 41. 111 (1998)
• [文献書誌] M.Matsumoto,N.Tatsumi,T.Itoyama,M.Umezawa,K.Fukutani,T.Okano: "LEED study of NO/Pt(111)" J.Vac.SOC.Jpn.41. 102 (1998)
• [文献書誌] M.Yoshida,S.Mori,N.Yamamoto,Y.Uesu and J.M.Kiat: "Transmission Electron Microscopy Observation of Relaxor Ferroelectric Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3" J.Korean Phys.Soc.32. S993-S995 (1998)
• [文献書誌] M.Kato,S.Mori and N.Yamamoto: "Dynamics of Discommensurations During the IC-C Phase Transition in BaZnGeO_4" J.Korean Phys.Soc.32. S891-S894 (1998)
• [文献書誌] M.Yoshida,S.Mori,N.Yamamoto,Y.Uesu and J.M.Kiat: "TEM Observation of Polar Domains in Relaxor Ferroelectric Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3" Ferroelectrics. 217. 327-333 (1998)
• [文献書誌] T.Mitsui and N.Yamamoto: "Deep Level Emission in ZnS caused by Electron Beam Irradiation Studied by Cathodoluminescence Measurement System" Jpn.J.Appl.Phys.37. L1390-L1392 (1998)
• [文献書誌] Y.Suzuki,H.Minoda and N.Yamamoto: "STM Light Emission from Ag/Si(111);PROC.ISSIPDSC-98,to be Published" Proc.ISSIPDSC-98 Surface Sci.(1999)
• [文献書誌] S.Kaneko,N.Nshida,T.Mochiku and K.Kadowaki: "Scanning Tunneling Spectroscopy of Bi_2Sr_2CaCu_2O_x" Physica. C298. 105-114 (1998)
• [文献書誌] S.Kaneko,H.Sakata,Y.Ono and N.Nishida: "Local Electronic Density of States near Steps on c-plane of Bi_2Sr_2CaCu_2O_x studied by LT-STS/STM" Proc.ISSIPDSC-98 Surface sci. (1999)
• [文献書誌] Y.Hayashi,M.Yoshinaga,H.Ikeda,S.Zaimal and Y.Yasuda: "Solid-phaseepitaxial growth of CoSi2 on clean and oxygen-adsorbed Si(001)surfaces." Proc.ISSIPDSC-98 Surface sci. (1999)
• [文献書誌] S.Zaima and Y.Yasuda: "Study of reaction and electrical properties at Ti/SiGe/Si(100) contacts for ultralarge scale integrated applications" J.Vac.Sci.Technol.B16. 2623-2628 (1998)
• [文献書誌] H.Iwano,Y.Isobe,H.Ikeda,S.Zaima and Y.Yasuda: "Electrical properties and interfacial reactions at Co/Si(100)contacts,Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997" Material Research Society 1998. 669-675 (1998)
• [文献書誌] K.Sakata,A.Tachibana,S.Zaima and Y.Yasuda: "Quantum chemical study of the oxidation sites in hydrogen-and water-terminated Si dimers:Attempt to understand the Si-Si back-bond oxidation on the Si surface" Jpn.J.Appl.Phys.37. 4962-4973 (1998)
• [文献書誌] Y.Yasuda,T.Matsuyama,K.Stato,M.Kondo,H.Ikade and S.Zaima: "Effects of atomic hydrogen on growth behavior of Si films by Si2H6-source molecular beam epitaxy." Thin Solid films. 317. 48-51 (1998)
• [文献書誌] K.Yamashita,T.Yasue,T.Koshikawa,A.Ikeda and Y.Kido: "High Depth Resolution Analysis of Cu/Si(111)“5x5"Structure with Medium Energy Ion Scattering" Nucl.Instrum.Methods. B136-138. 1086-1091 (1998)
• [文献書誌] T.Nishimura,A.Ikeda,T.Koshikawa,T.Yasue and Y.Kido: "Direct Detection of H(D)on Si(100)and Si(111)Surfaces by Medium-Energy Recoil Spectroscopy" Surf.Sci.409. 183-188 (1998)
• [文献書誌] S.Maruno,T.Kuroiwa,N.Mikami,K.Sato,S.Ohmura,M.Kaida,T.Yasue and T.Koshikawa: "Model of Leakage Characteristics of(Ba,Sr)TiO3 Thin Film" Appl.Phys.Letters. 73. 954-956 (1998)
• [文献書誌] T.Kan,M.Mitsukawa,M.Takada,Y.Ueyama,T.Yasue and T.Koshikawa: "Secondary Ion Emission from Alkali/Si Systems." J.Surf.Anal. 出版予定.
• [文献書誌] K.Fukutani,T.T.Magkoev,Y.Murata,M.Matsumoto,T.Kawauchi,T.Magome,Y.Tezuka and S.Shin: "Electronic structure of a Pt(111)-Ge surface alloy and adsorbed CO" J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom. 88-91. 597-601 (1998)
• [文献書誌] A.Ishii and T.Kawamura: "Kinetics of Homoepitaxial Growth on GaAs studied by Two-Component Monte Carlo Simulation" Appl.Surf.Sci.130-132. 262-267 (1998)
• [文献書誌] T.Kawamura and A.Ishii: "Self-surfactant of As during homoepitaxial growth on GaAs(001)studied by Monte Carlo Simulation" Surface Sci:(PROC.ISSIPDSC-98) 出版予定.
• [文献書誌] K,Seino,A.Ishii and T.Aisaka: "Arsenic adatom diffusion on GaAs(100)surface using the first-principle calculation" Surface Sci:(PROC.ISSIPDSC-98) 出版予定.
• [文献書誌] M.Ishida,M.Tachikawa,A.Ishii,K.Mori and H.Tokiwa: "First principle calculation for H/PS adsorption on Si(111)surface by using Dynamical Extended Molecular obrital Method" Surface Sci:(PROC.ISSIPDSC-98) 出版予定.
• [文献書誌] A.Ishii,H.Arai and T.Aisaka: "On the possibility of observation of electronic states of wetallic atomic wire on Ni(100)surface with the angle-resolved photomission" Surface Sci:(PROC.ISSIPDSC-98) 出版予定.
• [文献書誌] Y.Yagi,K.Kakitani,H.Kaji and A.Yoshimori: "Theoretical analysis of thermal desorption spectra of hydrogen adsorbed on Si(100)" Proceedings of the Second Symposium on atomic-scale surface and interface dynamics. 159-164 (1998)
• [文献書誌] 八木克道: "表面の構造解析・表面科学シリーズ第4巻" 丸善, 260 (1998)
• [文献書誌] 塚田 捷: "第一原理電子状態計算によるSTM像の解析,走査プローブ顕微鏡-STMからSPMへ" 丸善出版, 245 (1998)