表面・界面-異なる対称性の接点の物性

1999 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 09NP1201
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 八木 克道 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (90016072)
• 研究分担者: 吉森 昭夫 岡山理科大学, 工学部, 教授 (50013470) ; 塚田 捷 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (90011650) ; 一宮 彪彦 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00023292) ; 興地 斐男 和歌山工業高等専門学校, 校長 (20029002) ; 新庄 輝也 京都大学, 化学研究所, 教授 (70027043)
• キーワード: 表面・界面 / 表面、界面構造 / 表面動的過程 / 表面、界面物性 / シリコン表面 / 金属超格子 / 表面界面理論 / 第一原理計算

研究概要

研究会、ワークショップを3回、年度末研究会を開催した。
来年度にかけて、下記の項目のまとめを重点的に行うこととした。
○新研究手法の開発(理論、実験)とその成果
○実験手法についての理論的サポート
○構造の解析(探索、発見、解析と理論的解析)
○動的過程(電子遷移、相転移、原子の拡散、原子組み替え、エレクトロマイグレーション、サーファクタント媒介成長、磁化反転、構造制御など)
○表面物性(表面準位電子伝導、新しい表面の物性、表面プラズモン物性など)
○ナノ構造(構造と物性)
○界面物性(GMR、磁気結合、歪み、超伝導)
◎理論と実験の協力
10月27日(水)、28日(木)の2日間、東京大学本郷キャンパス、山上会館で企業、大学から100名ほどの参加者を得て公開講座「表面・界面-異なる対称性の接点の物性」を開催した。
2000年10月17日(火)-20日(金)の4日間名古屋産業貿易館で国際シンポジウム「ISSI PDSC-2000」(表面・界面-異なる対称性の接点の物性 国際シンポジウム2000)を開催する計画を立案し、申請書を提出した。
高速ビームロッキングRHEED装置の開発と非弾性散乱電子の影響を除去できるエネルギーフィルター型RHEEDの開発を行った。これによりGaAs(001)2×4表面のホモエピタキシャル成長中の構造のα、β、γ相について、β相は、2二量体-2二量体欠陥構造であることを明かにした.またαおよびγ相に関しては、両表面相ともβ構造の分域の大きさおよび分布の違いによるものであることが明らかになった.エネルギーフィルタ型RHEEDを開発し、4eVの分解能を達成した.RHEED散漫散乱強度を低ノイズで測定するためのビデオ測定システムを完成させた(一宮).角度分解能5×10^<-7>radをもつ超精密X線回折法を開発し、これを用いてシリコン表面の酸化膜による基板の大きな歪みや、金属吸着原子によるシリコン基板の格子歪、また清浄表面もわずかな歪みがあることを明らかにした。またシリコン表面に成長した銀との間の界面構造を解析し、その構造が成長した銀の構造と密接な関係があることを明らかにした。また10nm程度の深さまで微小ながらも緩和が及んでいることを示した。GaN薄膜について、異常分散X線回折法により極性を決定した。その結果、MBE法ではサファイア基板上のバッファ層の種類により極面が異 なり、GaNバッファ層の場合にN極性面が、AlNバッファ層の場合にはGa極性面が成長することが明らかになった。また、MOVPE法ではバッファ層の種類によらずGa極性面が成長することが確かめられた(秋本)。
散漫散乱電子回折を用いた新しい表面原子構造解析法の開発を行った.振動相関熱散漫散乱強度分布のパターソン法による解析は、これまでに開発した斜入射後方散乱電子回折法をさらに発展させたもので、この方法によ〓て、結晶表面の詳細な構造解析が可能であることを示した.Si(001)表面のエチレンによる炭化反応の素過程について、炭化の初期の原子尺度での表面形態を明らかにした.さらに3C-SiC核形成と成長過程について微視的な知見を得た.光電子回折による表面構造解析では3C-SiC(001)表面に表れる周期構造(c(2x2))構造について明らかにした.さらにSi(001)表面上のヘテロ成長ダイヤモンドの構造と電子状態(特に2次電子放出)について明らかにした(河野).「直線偏光2次元角度分解光電子分光」を用いてフェルミ面を含む価電子帯の詳細な解析を行い、「円偏光2次元光電子回折」を用いて表面構造解析を行った。右回り円偏光を用いて測定したW(110)面からのW4f内殻に関して明瞭な円2色性が得られた(服部)。STM真空ギャップ中に励起した電子定在波による微分コンダクタンスの測定では、原子種の原子番号に依存したピーク間隔の広がりが確認され、STMによる原子種の評価の可能性を示した.また非接触原子間力顕微鏡(nc-AFM)により表面の原子位置による電子的特性を識別できる可能性を示した(富取).Cu(001)-(2x1)-Li表面にNa,K,Csを室温でつけると、いずれのケースにおいても(3x3)構造が形成した。LEEDによる構造解析では、Cu(001)-(3x3)-Li構造と類似の構造であることが判明した。また金属表面のアルカリ吸着相の多様な構造を統一的に記述できることを明らかにした(栃原)。金属人工格子におけるエピタキシャル成長プロセスを明らかにし、またその構造と磁性との関係を明らかにした。γ-Feの成長とその磁性に関してはMgO基板上にCo/γ-Fe/Coの3層膜および多層膜をエピタキシャル成長によって作製した。磁気抵抗効果を測定した結果、GMRは77Kで約3%と小さいことが分り、その原因として、Coとの界面にあるγ-Feはhigh spin stateで強磁性であり、Fe層の内部のγ-Feはlow spin stateで非磁性となっていることが分かった。強磁性トンネル接合に関しては、FeCo/AlOx/Feの強磁性トンネル接合を最小接合面積10μmX10μmの微少領域で作製した。その界面の酸化状態などを調べた結果、AlOxの酸化の程度と強磁性層の酸化の割合によ〓トンネル磁気抵抗効果(TMR)が大きく変化する事が分かった。Si(111)表面上に走査トンネル顕微鏡(STM)の探針を用いてシリコンナノ構造を形成した.作製されたシリコンナノ構造は角の取れた3角錐の形をしたピラミッド型であり、二種類のタイプが見られた.ひとつはシリコン基板に対してエピタキシャル成長したタイプAと、基板の間に積層欠陥があり、タイプAと双晶の関係にあるタイプBである.タイプAの形成確率はタイプBよりも3倍大きく、この形成確率の差は界面の構造によるものと考えられる.タイプBの崩壊速度はAよりも約3倍崩壊速度が大きく、界面の積層欠陥による界面張力のためと考えられた.これから積層欠陥エネルギー、1原子あたり0.06eVを得た.ピラミッドの崩壊過程について、ピラミッドの高さの時間変化に対してはピラミッドの高さの減少分がタイプAでは時間の1/4乗に比例し、タイプBでは1/3乗に比例することが解析の結果、明らかとなった.このうち、タイプAのピラミッドに対する1/4乗則は無限円錐の崩壊の理論によって説明できることがわかった.またタイプBの1/3乗則はタイプBの崩壊曲線がほとんど直線であることと、崩壊中の形状がほとんど相似形である事から、高さが原子数の1/3乗に比例することによって説明できた.
昨年度に完成をみた、エネルギー選別超高真空電子顕微鏡を本格的に稼働させ、以下のような成果を得た。透過モードにおいては、予想された分解能(0,.14nm)でAu表面の再構成構造を観察した。反射モードにおいては、予想以上のこれまでにない高い分解能が得られ(最小0.33nm)、1nm以下の格子縞の変化をその場観察が可能となることが分かった。具体的には、Si(001)2x1のダイマー列構造、Si(5512)構造の単位胞を3分あるいは9分する縞の観察と欠陥構造の観察、およびその上の1次元Ag成長の観察である。一方、反射モードのエネルギー選別法を清浄表面像にはじめた適用して、ノイズの除去、上記格子縞が表面プラズモン励起非弾性散乱電子像にも保たれることを実験的に初めて示すことが出来た。反射モードにおける表面プラズモン励起確率は従来、入出射視射角に依存することが理論的にも実験的にも報告されていたが、詳細な解析の結果、それらの角に依存しないで、表面回折過程に依存する付加的な項があることを、見出した。ブラッグ反射、熱散漫散乱、鏡面波共鳴条件等で変化した。また、表面プラズモン励起非弾性散乱電子で初めて干渉縞を得ることが出来、非弾性散乱可干渉距離を求めることが出来た。
一方今年度導入した走査形オージェ分光装置によって、懸案であった、吸着誘起ステップバンチングとファット形成における、吸着原子の空間分布をSi(001)-Au系で明瞭に示すことに成功した。
低温-強磁場STM-STS法の完成よる、超伝導対称性の研究、光検出STMの改良による、Ag表面のステップからの発光検出、マイクロ4探針伝導測定法の立ち上げ、4探針STM法やスピン解析STM法の動作確認を行うことが出来た。
動的過程の研究成果:吸着誘起ステップバンチングとファセット形成の動的過程の解析をおこなった。
また、ステップバンドとテラスでの吸着量の違いをオージェー電子顕微鏡によって見出した。Si(113)面はAu吸着によって三相構造に変化することを見出した。通電誘起in-phase step wanderingの発見とその形成ダイナミックス、ワンダリングの周期や振幅の時間発展等を実験的に明らかにした。通電方向依存、通電効果の新しい相図提案を行った。理論グループとの協力の下に研究を進めている。吸着水素によるCu成長のLEEM観察し、水素吸着によって、Cuの拡散が抑制され、ステップ端、位相境界での優先的吸着が抑制され、三次元核の形成が初期から観察された。酸素媒介CoSi_2膜成長の観察と解析をおこなった。NO/Pt(111)構造の解明を理論グループと協力して行った。光励起脱離のあたらし解釈、共鳴核反応法を用いて水素の表面振動状態についての詳細な知見を得るとともにバルクへの拡散過程の解析を行うことが出来た。伝導の関与する興味ある低温相転移の観察をAg、In吸着系で観察した。
表面物性の研究成果:マイクロ4探針表面伝導測定法による、表面電子準位を介した伝導を初めて明瞭に示すことに成功した。これまでバンド曲がりによる伝導度変化を思われていたSi(111)√3x√3-Ag系も表面電子伝導であることを見出した。そのほか、表面トポグラフ(ステップバンド)に依存する伝導の明瞭な測定に成功した。表面伝導に寄与する電子状態評価と理論的解析を理論グループのと協力で進めた。
2次元電子系のプラズモンの分散関係をSi(111)√3x√3-Ag表面および附加Ag吸着表面で測定することに成功した。微粒子のまわりの多重極局所表面プラズモン発光位置が相対論効果を取り入れた発効理論で定量的に説明可能であることを見出した。STM発光においては、si上に成長したAg超薄膜のステップで〓異常な発光を見出した。一方、表面プラズモン励起電子波の空間コヒーレンシーの解析をおこない、30-40nm程度であることを見出した。新奇な表面物性を持つ金属上の酸化物単結晶超薄膜(αアルミナおよびβ水晶超薄膜)の作製にの成功し、STMおよびEELSから異常バンド構造を発見確認した。Si(111)表面エレクトロマイグレーションの際の有効電荷は1x1高温相では常に正であることを初めて見出した。
表面の熱力学的物性量である、ステップエネルギーおよびステップ間相互作用エネルギー係数をSi(111)、Si(110)表面で求め、それらが通電時に異常な値となることを見出した。界面物性の研究成果:微細加工法による磁性金属細線の磁化反転速度を計測するために新たに開発したGMRを応用した新しい手法の再現性を高める改良を行い再現性のある実験が行えるようになった。微細加工した磁性細線やドットの磁区構造を観察し、ボルテックスの研究を開始した。メスバウワー分光でのSn核の有効性を見出した。基板結晶や成長過程を変えて反強磁性/強磁性界面での磁気結合を調べた結果、磁気異方性を示す場合、一方向異方性と小さな保持力を示す場合等を見出した。スピン偏極STMの基礎となる偏極トンネリングの測定に成功した。転移点が上昇する超伝導界面効果が、金属、半導体いずれの場合にでも現れることを見出した。界面効果でクーパ一対のd対称性を観察したが、高磁場下での磁束量子の観察ではd波対称性は明瞭には観察されなかった。その原因は来年度の興味有る課題である。
Ge(001)表面の高次最配列構造について、詳細な精密計算を実行し、ダイマ?間の相互作用パラメータを決定した。これを基礎にしたイジング模型のモンテカルロシミュレーションを行い2x1とc(4x2)の構造相転位を調べた。実験との良好な一致が見られた(塚田、河合)。ポテンシャル面の第一原理計算に基づいて、10K以下で観察されるSi(001)表面の構造相転位を、ダイマ?配向のトンネル転移で説明する可能性を探った。非接触原子間力顕微鏡の理論シミュレーション法を開発した。Si(111)√<3>×√<3>-Ag表面の新しい最配列構造を予言した(塚田)。水素で被覆されたSi(100)面上での、単原子層および原子層ステップ近傍の、拡散経路を求めた(押山)。金属の時間分解二光子光電子スペクトルを解析し、入射光エネルギー依存性を説明した(笠井)。鏡面状態での過渡過程に注目し、ベンゼン吸着Cu(111)表面の2PPEスペクトル解析した。単一吸着分子の走査振動分光/顕微鏡の理論を研究した(上羽)。STM探針からのトンネル電子によって、銅表面に吸着しているアセチレンの回転誘起メカニズムを明らかにした(笠井、馬越)。磁性原子のSTM、STSスペクトルを解析し、近藤効果の実空間観察の可能性を指摘した(笠井)。電場効果を定性的に取り入れカーボンナノチューブの先端部の電子状態の計算を行った(山口)。GaAs(100)表面での2成分モンテカルロシミュレーションで、原子拡散の異方的活性エネルギーを求めた。またGaとAsの供給比による表面モフォロジーの変化を確かめた(川村、石井)。Ge(001)表面上のAg原子の島形成の第一原理計算を行い、吸着単位が〓原子2個のダイマーであることを明らかにした(石井)。金属表面のアルカリ金属吸着系の電子状態を計算し、置換型吸着構造の機構・安定性と、表面に特有な電子状態との関連性を明らかにした(小口)。Si(111)面の表面融解は面内方向の圧縮伸長ストレインによるアドアトムおよび空格子点濃度の上昇により誘起されることを示した。Si(111)面のステップ構造変化やバンチングの形態変化を、直流通電による有効力を考慮しモンテカルロシミュレーションを用いて調べた(名取)。Si(100)-Au表面の5X3構造について新しい実験結果に対応する模型の探求を始めた(吉森)。Si(100)面における不飽和環状炭化水素の吸着状態を第一原理計算により調べ、実験で得られている情報と突き合わせて構造を特定した(常行)。マンガン酸化物を用いたトンネル接合について、二重交換模型によって低温におけるスピン分極率、TMRの温度依存性を計算した(井上)。勾配補正法を時間依存密度汎関数法に取り入た結果、金属クラスターの表面プラズモンエネルギーを高精度で与えることを見い出した(斎藤)。

研究成果

• [文献書誌] E.A.Khramtsova,H.Sakai,K.Hayashi,and A.Ichimiya: "One monolayer of gold on an Si(111) surface : surface phases and phase transitions."Surface Sci.. 433-435. 405-409 (1999)
• [文献書誌] 一宮彪彦: "シリコン表面における孤立したナノ構造の緩和過程"日本物理学会誌. 54. 869-877 (1999)
• [文献書誌] 一宮彪彦,林和彦: "シリコン表面におけるピラミッドの形成と崩壊"電子顕微鏡. 34. 193-196 (1999)
• [文献書誌] 一宮彪彦,林和彦: "Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程"表面科学. 20. 865-871 (1999)
• [文献書誌] T.Abukawa,T.Hanano,C.M.Wei and S.Kono :: "Correlated thermal diffuse scattering in low to medium energy electron diffraction : A new structural tool."Phys.Rev.. Lett.82. 335-338 (1999)
• [文献書誌] S.Kono,T.Goto,Y.Ogura and T.Abukawa:: "Surface Electromigration of Metals on Si(001):In/Si(001)"Surf. Sci.. 420. 200-212 (1999)
• [文献書誌] M.Shimomura,T.Nishimori,T.Abukawa,Y.Takakuwa,H.Sakamoto and S.Kono :: "Crystallinity evaluation of phosphorus-doped n-type diamond thin film."J.Appl.Phys.. 85. 3931-3933 (1999)
• [文献書誌] R.Kosugi,T.Abukawa,M.Shimomura,S.Sumitani,H.-W.Yeom,T.Hanano,K.Tono,S.Suzuki,S.Sato,T.Ohta,S.Kono and Y.Takakuwa :: "Photoelectron Diffraction Study of Si(001)c(4x4)-C Surface."J.Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 101/103. 239-243 (1999)
• [文献書誌] S.Sumitani,T.Abukawa,R.Kosugi,S.Suzuki,S.Sato and S.Kono :: "Photoelectron diffraction study of the surfaces of Si(111) √3x √3-Al and -In with Mo M? and Cr L? lines,"J.Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 101/103. 245-250 (1999)
• [文献書誌] 虻川匡司,C.M.Wei,花野太一,河野省三: "熱散漫散乱パターソン解析による表面構造の研究"J.Surf.Sci.Soc.Jpn.. 20. 535-542 (1999)
• [文献書誌] H.W.Yeom,M.Shimomura,J.L.Kitamura,S.Hara,K.Tono,I.Matsuda,B.S.Mun,W.A.R.Huff,T.Ohta,S.Kono,C.S.Fadley,H.Okushi and K.Kajimura and Y.Yoshida:: "Atomic and electronic-band structures of anomalous carbon dimers on 3C-SiC(001)c(2x2)."Phys.Rev.Lett.. 83. 1640-1643 (1999)
• [文献書誌] Ryoji Kosugi,Yuji Takakuwa,Ki-Seon Kim,Tadashi Abukawa,and Shozo Kono:: "Real-time monitoring of the Si carbonization process by a combined method of reflection high-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy,"Appl.Phys.Lett.. 74. 3939-3941 (1999)
• [文献書誌] S.,Kono,T.Goto,M.Shimomura and T.Abukawa:: "Formation of single domain Si(001)4x3-In surface by surface electromigration."Surf.Sci.. 438. 83-90 (1999)
• [文献書誌] M.Shimomura,H.W.Yeom,B.S.Mun,C.S.Fadley,S.Hara,S.Yoshida and S.Kono:: "Surface-core-Level-shift photoelectron diffraction study of ?-SiC(001)-c(2x2) surface,"Surf.Sci.. 438. 237-241 (1999)
• [文献書誌] K.Akimoto,T.Emoto,Y.Ishikawa,and A.Ichimiya,: "Surface and interface strains revealed by X-ray diffraction."Surf.Rev.Lett.. 6(Nos.5&6)(印刷中). (1999)
• [文献書誌] 秋本晃一: "X線で見る界面の原子配列."日本物理学会誌. 54(9). 708-715 (1999)
• [文献書誌] T.Emoto,K.Akimoto,and A.Ichimiya,: "Strain field observed at the SiO2/Si(111) interface,"Surf.Sci. 438. 107-115 (1999)
• [文献書誌] Taichi Okuda,Kan Nakatsuji,Shigemasa Suga,Yasuhisa Tezuka,Shik Shin,and Hiroshi Daimon: "Two-dimensional band mapping of 2H-TaSe2 using a display-type"J.Electron Spectrosc.Relat.Phenom.. 101-103. 355-360 (1999)
• [文献書誌] Hiroshi Daimon,Masato Kotsugi,Taichi Okuda,Ken Hattori :: "Characterization of Electronic Stares Using a Polarized Light and a Display Analyzer"Jap.J.Appl.Phys.. 38. 630-633 (1999)
• [文献書誌] Taichi OKUDA,Masato KOTSUGI,Kan NAKATSUJI,Masao FUJIKAWA,Shigemasa SUGA,Yasuhisa TEZUKA,Shik SHIN,Masahiro KASAI,Yoshinori TOKURA and Hiroshi DAIMON: "Symmetry Analysis of the Fermi Surface States of Sr2RuO4 by Display-Type Photoelectron Spectroscopy"J.Phys.Soc.Jpn.. 68(4). 1398-1403 (1999)
• [文献書誌] K.Kushida,K.Hattori,S.Arai,T.Iimori,and F,Komori: "Initial stage of Ag growth on Ge(001) surfaces at room a temperature"Surf.Sci.. 442. 300-306 (1999)
• [文献書誌] H.Daimon,M.Kotsugi,K.Nakatsuji,T.Okuda,K.Hattori: "Deduction of atomic orbitals in a valence band by two-dimensional angular distribution of photoelectrons"Surf.Sci.. 438. 214-222 (1999)
• [文献書誌] F.Komori,K.Kushida,K.Hattori,S.Arai and T.Iimori: "Growth of thin Ag islands on Ge(001)-2x1 surfaces below room temperatures"Surf.Sci.. 438. 123-130 (1999)
• [文献書誌] T.Iimori,K.Hattori,K.Shudo,F.Komori: "Chlorine extraction by atomic hydrogen on Si(111)-7x7 Surfaces"Sur.Sci.. 437. 86-90 (1999)
• [文献書誌] Hayakawa,H.Asano and M.Matsui: "Strain effect in La1-xCaxMnO3 thin films"J.Magn.Soc.Japan. 23巻1-2号. 102-104 (1999)
• [文献書誌] Y.Yamada,B.Sadeh,C.Lee.M.Doi and M,Matsui: "Magnetic critical behavior of γ-Fe/Cu _ultiplayer."J.Magn.Soc.Japan. 23巻1-2号. 575-577 (1999)
• [文献書誌] J.Hayakawa,H.Asano and M.Matsui: "Strain effect of Lan-nxCa1+nxMnnO3n+1 thin films"J.Magn.Soc.Japan. 23巻4-2号. 1141-1144 (1999)
• [文献書誌] C-H.Lee,Y.Sato,T.Sato,M.Doi and M.Matsui: "Structural study of the interfaces of Fe(Co)/AlOx/Fe ferromagnetic tunnel Junctions"J.Magn.Soc.Japan. 23巻4-2号. 1321-1324 (1999)
• [文献書誌] 拜山沙徳克,山田保誠,近藤康寛,土井正晶,松井正顯: "[γ-Fe/Cu]及び[α-Fe/Au]エピタキシャル人工格子の磁気相転移,"日本応用磁気学会誌. 23巻4-2号. 1349-1352 (1999)
• [文献書誌] C-H.Lee,Y.Sato,M.Doi and M.Matsui: "Interface structure of FeCo/Al Oxide/Fe tunnel Junction"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 3664-3667 (1999)
• [文献書誌] M.Arita,A.Sasaki,K.Hamada,A.Okada,J.Hayakawa,H.Asano,M.Matsui and H.Takahashi: "Transmission electron microscopy of La0.7Ca0.3MnO3CMR films"Japanese Soc.Electron Microscopy. 48巻4号. 381-385 (1999)
• [文献書誌] G.Eilers,Y.Yamada,M.Matsui and K.Mukasa: "Scanning probe microsclopy study of the interface roughness dependence of the magnetism of metallic multilayers"applied surface science. 142巻. 527-531 (1999)
• [文献書誌] B.Sadeh,Y.Yamada,Y.Kondo and M.Matsui: "Magnetic Transformation of Low Dimensional Magnetic Materials"Proceedings of International Conference on Solid-Solid Phase Transformation Kyoto.Japan.published by Japan Institute of Metals. 99(JIMIC-3). 1287-1290 (1999)
• [文献書誌] H.Minoda,K.Yagi,F.-J.Meyer zu Heringdorf,A.Meier,D.Kaehler,M.Horn von Hoegen:: "Gold-induce Faceting on a Si(001) Vieinal Surfaces : Spot Profile Analyzang LEED and Reflection Electron Microscopy Study,"Phys.Rev.. B59. 2363-2375 (1999)
• [文献書誌] M.Chida,Y.Tanishiro.H.Minoda and K.Yagi:: "Growth of 7×7 domains from the '1×1' phase on a quenched Si(111) surface studied by high temperature STM."Surface Sci.. 423. L236-243 (1999)
• [文献書誌] M.Degawa,H.Nishimura,Y.Tanishiro,H.Minoda and K.Yagi:: "Direct current heating induced giant step bunching and wandering on Si(111) and (001) vieinal surfaces."Jpn.J.Appl.Phys.. 38. L308-311 (1999)
• [文献書誌] T.Suzuki,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi:: "REM studies of the roughening transitions of Si high index surfaces."Thin Solid Films. 343/344. 423-426 (1999)
• [文献書誌] H.Minoda,T.Shimakura,K.Yagi,F.-J.Meyer zu Heringdorf and M.Horn von Hoegen:: "Gold-induced faceting on an Si(hhrn) surface (m/h=1.4-1.5) studied by spot profile analyzing low eaergy electron diffraction."Surface Sci.. 432. 69-80 (1999)
• [文献書誌] H.Minoda and K.Yagi: "Dynamics of Au-adsorption-induced step bunching on a Si(001) vieinal surface studied by reflection electron microscopy."Phys.Rev.. B60. 2715-2719 (1999)
• [文献書誌] H.Minoda and K.Yagi:: "Surface morphology of Au-adsorbed Si(001) viemal surfaces studied by reflection electron microscopy."Surface Sci.. 437. L761-766 (1999)
• [文献書誌] Y.Takabushi,H.Minoda,Y.Tanishiro and K Yagi: "Cu induced step bunching on a Si(111) vicinal surface studied by reflection electron microscopy."Surface Sci.. 433-435. 512-516 (1999)
• [文献書誌] T.Suzuki,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi:: "TED analysis of the Si(113) surface structure"Surface Sci.. 438. 76-82 (1999)
• [文献書誌] N.Kurahashi,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi:: "In-situ REM study of Au-induced faceting on high index Si Surfaces."Surface Sci.. 438. 91-96 (1999)
• [文献書誌] H.Minoda,Y.Takahashi,Y.Tanishiro and K.Yagi:: "In-situ REM study of Cu-induced step bunching on Si(111) vicinal surfaces,Proc."Surface Sci.. 438. 68-75 (1999)
• [文献書誌] Y.Tanishiro,K.Okamato,T.Suzuki,N.Ishiguro H.Minoda,H.Miura,K.Yagi and M.Takeguchi:: "Image conservation in inelastically Scattered electrons in reflection electron microscopy."Jpn.J.Appl.Phys.Lett.. 38. 6540-6543 (1999)
• [文献書誌] M.Chida,Y.Tanishiro,H.Minoda and K.Yagi:: "Scanning tunneling microscopy studies on the reversible phase transition between metastable structures of Si(111)-c2×8 and "1×1""Surface Sci.. 441. 179-191 (1999)
• [文献書誌] H Nishimura,H.Minoda,Y.Tanishiro and K.Yagi :: "DC heating induced step instability on Si(001) vicinal surfaces"Surface Sci.. 442. L1006-1012 (1999)
• [文献書誌] M.Dogawa,H.Minoda,Y.Tanishiro and K Yagi :: "Temperature dependence of period of step wandering formed on Si(111) vicinal surfaces by DC heating."J.Phys.:Condense.Matter. 11. L551-556 (1999)
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• [文献書誌] 村田好正: "自己組織化プロセス技術(分担)"村田好正、尾関政志、野崎眞次、培風館. 3-20 (1999)
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