| 研究課題/領域番号 |
10044146
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
一宮 彪彦 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (00023292)
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| 研究分担者 |
箕田 弘喜 東京工業大学, 理学部, 助手 (20240757)
八木 克道 東京工業大学, 理学部, 名誉教授 (90016072)
岩崎 裕 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (00029901)
中原 仁 名古屋大学, 工学研究科, 助手 (20293649)
上羽 牧夫 名古屋大学, 理学研究科, 助教授 (30183213)
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| 研究期間 (年度) |
1998 – 2000
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| キーワード | 半導体表面 / ステップ / エピタキシャル成長 / ナノ構造 / ステップエネルギー |
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| 研究概要 |
本研究では半導体表面に的を絞り、表面の動的過程、特にエピタキシャル成長や吸着・脱離過程、さらに昇華過程およびステップバンチング過程におけるステップ端での原子・分子の脱離付着機構に関する知見を得た。シリコン、GaAs、GaN表面におけるサーフアクタント効果によるエピタキシャル成長中のステップ挙動の実験結果から、サーフアクタントがステップにおける吸着障壁を変化させ、またステップエネルギーを大きく変化させることが明らかになった(一宮、中原、Cohen)。またシリコン高指数表面の金属吸着によるファセット形成の観察から、吸着による安定表面指数の変化についての知見を得た(中原、八木、箕田)。シリコン表面上に形成した単独の孤立したナノ構造の熱崩壊の過程を走査トンネル顕微鏡(STM)により観測し、その結果、ステップ端における吸着と脱離の過程がナノ構造全体のエネルギーに大きく依存することが明らかになった。また崩壊の過程におけるステップバンチングがステップ間の斥力の大きさによることも理論との協力によって明らかになった(一宮、上羽、Einstein)。さらにナノ構造の崩壊速度に関しても、物質、原子構造などによらない一般的なスケーリング則が成り立ち、さらに2次元ナノ構造の崩壊過程と3次元ナノ構造の崩壊過程の相関が明らかになった(一宮、上羽、Williams、Einstein)。またSTMによるシリコン表面上の酸化膜選択除去プロセス及び界面におけるシリコン原子ステップ解析手法の開発を行った(岩崎、Williams)。
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