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1998 年度 実績報告書

キャリアのライフタイムとMOSデバイスの界面トラップの相関関係に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 10044171
研究種目

国際学術研究

応募区分共同研究
研究機関姫路工業大学

研究代表者

岸野 正剛  姫路工業大学, 工学部, 教授 (50201455)

研究分担者 吉田 晴彦  姫路工業大学, 工学部, 助手 (90264837)
SOHRODER D.K  アリゾナ州立大学, 電気工学科, 教授
キーワード局在準位 / 界面トラップ / キャリアライフタイム / 生成ライフタイム / 再結合ライフタイム / ICTS法 / SPV法 / MOSダイオード
研究概要

本研究では姫路工業大学で試料作製、ICTS法による局在準位の評価及びZerbst法による生成ライフタイムの評価を、アリゾナ州立大学でSPV法による再結合ライフタイムの評価を行い、局在準位とキャリアライフタイムの相関関係について調べ、以下の結果を得た。
1. 金、白金不純物による局在準位とキャリアライフタイムの相関関係については、金及び白金不純物のドープ量をそれぞれ変えてMOSダイオードを作製し、金及び白金不純物による局在準位と生成及び再結合ライフタイムの相関関係について調べた。その結果、金不純物の方が白金不純物に比べて、生成ライフタイムへの影響が大きいことを明らかにした。
2. 界面トラップとキャリアライフタイムの相関関係については、熱処理によって界面トラップのみを変化させたMOSダイオードを作製し、界面トラップと生成及び再結合ライフタイムの相関関係について調べた。その結果、界面トラップはバルクトラップ同様キャリアライフタイムと定量的な相関関係があることを明らかにした。また、再結合ライフタイムの方が生成ライフタイムに比べて界面トラップの影響が大きく、低密度の界面トラップのわずかな変化に対して再結合ライフタイムが大きく変化することを明らかにした。

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公開日: 1999-12-13   更新日: 2016-04-21  

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