| 研究課題/領域番号 |
10044171
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| 研究種目 |
国際学術研究
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| 応募区分 | 共同研究 |
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| 研究機関 | 姫路工業大学 |
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研究代表者 |
岸野 正剛 姫路工業大学, 工学部, 教授 (50201455)
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| 研究分担者 |
吉田 晴彦 姫路工業大学, 工学部, 助手 (90264837)
SOHRODER D.K アリゾナ州立大学, 電気工学科, 教授
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| キーワード | 局在準位 / 界面トラップ / キャリアライフタイム / 生成ライフタイム / 再結合ライフタイム / ICTS法 / SPV法 / MOSダイオード |
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| 研究概要 |
本研究では姫路工業大学で試料作製、ICTS法による局在準位の評価及びZerbst法による生成ライフタイムの評価を、アリゾナ州立大学でSPV法による再結合ライフタイムの評価を行い、局在準位とキャリアライフタイムの相関関係について調べ、以下の結果を得た。
1. 金、白金不純物による局在準位とキャリアライフタイムの相関関係については、金及び白金不純物のドープ量をそれぞれ変えてMOSダイオードを作製し、金及び白金不純物による局在準位と生成及び再結合ライフタイムの相関関係について調べた。その結果、金不純物の方が白金不純物に比べて、生成ライフタイムへの影響が大きいことを明らかにした。
2. 界面トラップとキャリアライフタイムの相関関係については、熱処理によって界面トラップのみを変化させたMOSダイオードを作製し、界面トラップと生成及び再結合ライフタイムの相関関係について調べた。その結果、界面トラップはバルクトラップ同様キャリアライフタイムと定量的な相関関係があることを明らかにした。また、再結合ライフタイムの方が生成ライフタイムに比べて界面トラップの影響が大きく、低密度の界面トラップのわずかな変化に対して再結合ライフタイムが大きく変化することを明らかにした。
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