| 研究課題/領域番号 |
10305006
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
竹田 精治 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助教授 (70163409)
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| 研究分担者 |
河野 日出夫 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (00273574)
大野 裕 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (80243129)
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| キーワード | シリコン / ナノストラクチュア / 表面 / 電子線照射 / 点欠陥 |
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| 研究概要 |
シリコン表面ナノホールは電子線をシリコン薄膜に照射すると、電子の出口側表面に生成する。本研究の目的はナノホールの生成のメカニズムを明らかにすることである。現在、ナノホール生成を不完全ではあるが現有の透過電子顕微鏡を用いて観察することを可能とした。本年度は研究計画に従って透過電子顕微鏡(200keV)を利用して以下の基礎的データを得た。
1) ナノホール生成の温度依存性
1-a) 高温域: ナノホールは400℃以上では生成しないことを確認した。またホールの穴径は温度の上昇と共に増大する傾向が見られた。
1-b) 低温域: 低温(4. 2K-2 5K)においてはホールの生成は見られなかった。表面原子の拡散が電子線照射下でも抑圧されたと考えられる。
2) ナノホール生成の入射エネルギー依存性
ナノホール生成に必要な最低エネルギーが約50KeV程度とほぼ決定できた。これは表面からシリコン原子を弾き出すための最低エネルギーが4eVであることことを意味する。
3) 電子線フラックス依存性
電子線フラックスの変化によってはナノホールの穴径、穴間隔を制御できない。
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