| 研究課題/領域番号 |
10305006
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
竹田 精治 大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (70163409)
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| 研究分担者 |
河野 日出夫 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (00273574)
大野 裕 大阪大学, 大学院・理学研究科, 助手 (80243129)
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| キーワード | シリコン / 表面 / ナノ構造 / 電子線照射 / 点欠陥 |
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| 研究概要 |
1)極低温・強電子線照射下での表面ナノホールの生成
本研究計画に従って、今年度は極低温(20K)においてナノホールの生成を試みた。前年度の実験よりも電子線の重照射(電子線量:10^<24>cm^<-2>以上)を試みたところ、極低温にも関わらず、ナノホールが表面に生成することを新たに見いだした。さらに、多数のナノホールの作るパターンは高温における照射により生成するパターンとは異なることも見いだした。これはナノホールの生成メカニズムを知るためには一つの手がかりとなる。
2)極低温・強電子線照射によるシリコン結晶の非晶質化の発見
本研究計画に従って、極低温・強電子線照射をシリコン薄膜に行ったところ、従来の常識に反して、シリコン結晶自体が非晶質化する新現象を見いだした。非晶質化現象は電子線照射下における点欠陥のクラスタリングとして理解できる。極低温にいおけるシリコン結晶の表面あるいは内部の点欠陥の動的挙動を統一的に理解するために意義深い発見と考えている。
3)表面ナノホールによるシリコン表面起伏の観察
研究計画に従い、走査トンネル顕微鏡(STM)によって表面ナノホールの生成領域の起伏観察を試みている。表面起伏は、電子線によるシリコン原子の表面からの弾き出しの効率と関連しており、ナノホールの生成メカニズムを探るための基礎データである。
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