| 研究概要 |
半導体のプラズマプロセス(エッチング,CVD)における表面反応を基礎的に解明するために、高度に制御されたビーム実験を行う。すなわち、プロセスの鍵と考えられる2,3種類の活性イオン種を選んでエネルギーやフラックス比を変えて基板に入射させ、表面から放出される種々のイオン、ラジカル、反応生成物を四重極質量分析計を用いて高感度に検出する。同時に基板表面をFT-IRやXPSなどを用いて分析し、気相診断の結果と合わせて総合的な表面反応の解明を試みるのが本研究の目的である。
本年度は次の項目について重点的に研究を行った。
(1)フロン系ビームとシリコンの反応の本格的研究:前年度まで進めてきた装置の改良によって中性ラジカルの検出能力が向上し、信頼性の高い計測が可能になった。そこで本格的にCF_x^+(x=1-3)イオンビームをシリコン表面に照射し、表面から脱離するラジカルや表面状態の経時変化やエネルギー依存性を調べ、分子軌道の計算との比較をおこなった。
(2)フロン系ビームとシリコン酸化膜の反応の予備実験:CF_x^+ビームをシリコン酸化膜に照射し、エッチング生成物や表面状態のその場観察の予備的実験をおこなった。
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