| 研究課題/領域番号 |
10354004
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| 研究機関 | 東京都立大学 |
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研究代表者 |
広瀬 立成 東京都立大学, 理学研究科, 教授 (70087162)
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| 研究分担者 |
汲田 哲郎 東京都立大学, 理学研究科, 助手 (30271159)
千葉 雅美 東京都立大学, 理学研究科, 助手 (60128577)
浜津 良輔 東京都立大学, 理学研究科, 助教授 (20087092)
鷲尾 方一 早稲田大学, 理工学総合センター, 教授 (70158608)
五十子 満文 東京都立大学, 理学研究科, 助手 (60087004)
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| キーワード | 偏極陽電子 / バンチャー / クエンチング / チョッピング / 熱脱離ポジトロニウム |
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| 研究概要 |
1)偏極度測定
ゼーマン効果による偏極陽電子ビームの偏極度測定法を確立した。これは、磁場によってオルソポジトロニウムの寿命が変化し、その大きさから入射陽電子ビームの偏極度を決定するというもので、磁場の強さを最適化し、pick-off効果による影響を定量的に調べた。
2)ビームバンチ装置の製作
ポジトロニウムの寿命測定を可能にするため、ビームのバンチング装置を開発・建設した。時間変動する電場により、ビームをチョッピング・バンチングして、1nsのパルス幅を持つバンチビームの生成に成功し、熱脱離ポジトロニウムの生成を定量的に決定することができた。
3)電場輸送による微少ビームの生成。
物質のスピン構造を調べるために、偏極陽電子ビームをターゲットに照射する時の外クエンチング避けるために、陽電子の磁場輸送を電場輸送に切り替えることのできる、変換システムを設計し基礎実験を進めた。現在、この方法で陽電子ビームの品質がどこまで改良できるかを実験的に検討している。
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