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タキソールの不斉全合成についてすでに見い出した手法に基づき、8員環状化合物からタキサン系化合物のBC環部位を大量に合成した。ここでタキソールの炭素19位に相当するメチル基の修飾を試みたところ、炭素19位のメチル基を持たない8-デメチルタキソールのBC環部も併せて大量に合成することができた。現在これを8-デメチルタキソールに導く検討を行っており、最終生成物とタキソールとの生物活性の比較評価を行うことを計画している。
また12位にヒドロキシメチル基を導入して水に対する難溶性が課題となっているタキソールの溶解能の向上を図ることを計画し、モデル化合物を用いてA環部を修飾する検討を行った。すなわち、タキソール類縁体のBC環部位の炭素1位に対し、A環セグメントとしてホモアリル基を導入することによりにタキソールの炭素18位メチル基に相当する置換基を導入し、さらにホモアリル基のジヒドロキシル化反応を利用して炭素12位にヒドロキシメチル基を有する誘導体に導く検討を行った。しかしながら、ここではこれまで用いてきたA環部閉環反応であるピナコールカップリングが進行せず、目的とする19位に水酸基を有するABC環部位の合成は未だ達成されていない。
一方、アリル基をBC環部位の炭素1位に対して導入することにより12-デメチルタキソールのABC環部の前駆体を合成し、この化合物に対して二塩化パラジウムを作用させたところワッカー型酸化反応と分子内アルドール型反応が引き続き進行し、12-デメチルタキソールの合成中間体と成り得るABC環部を効率良く得ることができた。現在この化合物を12-デメチルタキソールに導く検討を続行中であり、ここでも最終生成物とタキソールとの生物活性の比較評価を行うことを計画している。
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