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最近、主に次世代大口径シリコン基板の製造で問題となっているウェハ加工欠陥、プロセス誘起欠陥のマッピングを目的として、赤外光弾性欠陥マッピングシステムを開発した。赤外光検出部には、平成11年度に構築した独自の高感度シングルチャンネル受光系を用いた。走査機構としては、12インチ以上の次世代大口径基板の短時間マッピングを目指して、高トルクステッピングモータを駆動源として用いた独自のXY走査ステージを本研究費によって新たに構築し、モータを加減速制御しながらステージの位置決めと赤外光検出とを同期させて行える高速走査機構を開発した。本システムを用いて、12インチ大口径シリコン基板、Silicon-on-Insulator(SOI)基板、Silicon-on-sapphire(SOS)基板、6インチ径GaAs基板の走査測定を行った。その結果、スリップやOSFリング等の欠陥構造や、研磨ダメージ等のウェハ加工欠陥が二次元歪み分布として明瞭に観察できた。本システムの感度は歪換算で10^<-7>程度であり、X線トポグラフに劣らない欠陥検出性能を実証した。また、微小欠陥の光像観察のため、平成11年度に構築した可視・近赤外位相差光学系およびマルチチャンネル受光系に、焦点調節機構を本研究費によって新たに構築して組み込んだ。その結果、微小欠陥によってできる一連のぼけ画像を、焦点位置をずらしながら撮影することが可能となった。
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