| 研究課題/領域番号 |
10450128
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| 研究機関 | 大阪電気通信大学 |
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研究代表者 |
佐々木 昭夫 大阪電気通信大学, 工学部, 教授 (10025900)
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| 研究分担者 |
王 学論 電子技術総合研究所, 電子デバイス部, 主任研究官
若原 昭浩 豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授 (00230912)
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| キーワード | 量子効果半導体 / 光量子物性 / 不規則量子細線 / 自然超格子 / Ga_<0.52>In_<0.48>P / InGaN単一量子井戸 |
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| 研究概要 |
Ga_<0.52>In_<0.48>P/GaAsにおいて、GaとInがIII族原子格子上で生じる配列自然規則度とルミネセンス特性の関係を調べた。その結果をJournal of Applied Physicsに発表した。さらにGaとInの配列規則度が増すにつれて、ルミネセンス強度が増すことが分かった。これは、不規則配列により発光強度を増す現象と逆であり、その物理機構は検討中である。
750℃近辺の温度で成長させたInGaN/GaN量子井戸では、成長温度が低い程、InとGa組成の不均一が大きく、ルミネセンス強度の増すことが分かった。しかしルミネセンス・スペクトラムの広がりを伴うことになる。これは組成不均一に伴うキャリア閉込めの領域の寸法、形状の不規則が生じていると考えられる。定量的な効果は、今後の課題である。これらをまとめて、平成13年夏に開催される結晶成長国際会議で発表する。
AlGaAs/GaAsの量子細線において、その層厚、層幅を不規則に変えた不規則量子細線超格子を作製し、不規則がルミネセンス機能を増大させることを実験で示した。それらの一部は既にApplied Physics Lettersに発表した。また詳細はPhysical Reviewに投稿中である。さらにModulated Structure Semiconductors国際会議で発表予定である。
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