| 研究課題/領域番号 |
10555220
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
伊藤 太一郎 大阪府立大学, 工学部, 教授 (10081366)
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| 研究分担者 |
神澤 公 ローム(株), VLSI研究開発部, 課長
芦田 淳 大阪府立大学, 工学部, 助手 (60231908)
藤村 紀文 大阪府立大学, 工学部, 助教授 (50199361)
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| キーワード | YMnO3 / Y2O3 / 界面還元修飾 / MFIS-FET / トランジスタ型 / 強誘電体不揮発性メモリー |
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| 研究概要 |
次世代トランジスタ型強誘電体不揮発性メモリー(MFIS-FET)実用化のためには低誘電率で小さな分極を持つ強誘電体が必要である.我々はこの候補としてYMnO3を提唱し、様々な研究を行ってきた.しかしながらこの物質をSi上に成長させることは非常に困難で900度程度の温度が必要となる.しかしながらY2O3層をバッファー層に用いることによって結晶化温度が100度以上低下し、膜質も大幅に向上することを見いだした.YMnO3/Y2O3/Si構造のC-V特性は大幅に改善された.
一方この研究の大きな目的である界面還元修飾を行うためのチャンバーも完成し条件出しが始まった.界面還元修飾を行うことによって最適化されたY2O3/Si界面を用いることによって実用化が加速すると期待される.
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