| 研究概要 |
CePtX(X=Sb,As,P,N),CePdX(X=AS,P,N),EuPdSbなどの系で物性のX(プニクトゲン)依存性を調べるのが本研究の第一の目標であった.
まず結晶構造はCePtSbはLiGaGE型,CePtAsはYPtAs型である事が判明した.CePdXは数種の方法で合成を試みたが現在までのところ結晶構造を決めるまでには至っていない.
CePdX系では,CdPdAsはLiGaGe型,CePdPはBeZrSi型結晶構造をとる.CePdNはCePtNと同様結晶構造の決定までには至っていない.EuPdSbはTiNiSi型である.LiGaGe型,YPtAs型,BeZrSi型,TiNiSi型共に,六方晶であり,格子内での原子の配列はほぼ等しく,物性のX依存性を調べるのに好都合な物質群であった.次に成果を述べる.
CePtAs,CePtPは電気抵抗に強い異方性を示し,Fermi面を決定すべくdHvA効果の実験を行った.予想通り二次元的な円筒状のFermi面の観測に成功した.CePdAsでもdHvA効果の観測できる良質な結晶の育成に成功し,回転楕円体状のFermi面述べる観測に成功した.一方,バンド計算も行い実験との良い一致を見た.CePdPの純良化を引き続き続行中である.
EuPdSbの単結晶の作成にも成功し,dHvA効果の実験も行われた.更には,磁場中比熱及ぴ強磁場磁化過程の測定から磁気相図を決定した.
以上の如く多くの成果を得て完了した.
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