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高濃度スピングラスに属する物質の中で磁気クラスターのサイズ、数(及びそれらの温度変化)が対照的であるホイスラー型合金Cu_2(Mn_<0.7>Ti_<0.3>)Alとインバー型合金Fe_<65>(Ni_<0.85>Mn_<0.15>)_<35>単結晶試料とについて磁化率の時間依存性、電気抵抗、中性子小角散乱実験を行なった。磁化率測定においては一定の待ち時間を経た後磁場を印加した後での磁化率の時間変化には著しい違いのあることが確認された。電気抵抗測定ではインバー型合金だけでなく、金一鉄高濃度スピングラス合金においてもリエントラント転移温度より遥かに低温において抵抗の極小が見られた。中性子散乱実験は通常の3軸型分光器を用いて予備的測走を行なった後、空間分解能、測定所要時間(時間変化測定)の面で優れた小角散乱装置により緩和初期におけるクラスター形成過程を実時間で追跡する事に取り掛かった。強磁性領域から急速にエントラントスピングラス相に冷却した後の散乱強度を10分-20分の時間間隔で時分割して測定した。運動量の違いに対応して異なる特性時間を持つ緩和現象が観測された。定量的試論のためには、同じ熱サイクルを複数回繰返して統計精度を上げる必要のあることが解った。この実験を次年度に継続して行なう。
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