• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

1998 年度 実績報告書

発光デバイス用半導体の非発光再結合準位スペクトロスコピー

研究課題

研究課題/領域番号 10650035
研究機関埼玉大学

研究代表者

鎌田 憲彦  埼玉大学, 工学部, 助教授 (50211173)

キーワード非発光再結合準位 / 禁制帯内準位 / フォトルミネッセンス / 2波長励起フォトルミネッセンス / バンド間発光 / 内部量子効率 / 半導体発光デバイス / 非発光再結合パラメータ
研究概要

2年計画の初年度として、予定通り下記内容を実施した。
1. 2波長励起フォトルミネッセンス(PL)測定系の整備・予備測定:禁制帯内励起光用分光器、2波長励起用ファイバーヘッドを導入し、既測定のGaAs系量子井戸を用いて単一光子計数レベルの最適化等、測定系の調整を完了した。
2. GaAs/AIGaAs量子井戸の2波長励起PL測定
(1) 無ドープおよびSiドープGaAs/AlGaAs量子井戸の2波長励起PLおよびそのバンド間励起光、禁制帯内励起光エネルギー依存性から、各試料で検出された非発光再結合準位の空間分布、エネルギー分布を明らかにした。
(2) Si一様ドーブ試料で検出される井戸層内非発光再結合準位が、選択ドープ試料では見られないことを初めて実証した。
(3) 各試料内の非発光再結合準位のSRHパラメータをself-consistentに定め、定量測定が可能であることを明示した。
(4) これらに関し論文、国際ワークショップ発表を行った(発表論文の第一著者は申請者が指導する博士課程大学院生である)。

  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] K.Hoshino,N.Kamata et.al.: "Distribution of Below-Gap States in Undoped GaAs/AlGaAs Quantum Wells Revealed by Two-wavelength Excited Photoluminescence" Journal of Luminescence. 79. 39-46 (1998)

  • [文献書誌] K.Hoshino,N.Kamata et al.: "Below-Gap Spectroscopy of Undoped GaAs/AlGaAs Quantum Wells by Two-wavelength Excited Photoluminescence" Japanese Journal of Applied Physics. 37. 3210-3213 (1998)

URL: 

公開日: 1999-12-11   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi