研究課題/領域番号 |
10650339
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研究機関 | 宮崎大学 |
研究代表者 |
石塚 興彦 宮崎大学, 工学部, 教授 (90040980)
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研究分担者 |
淡野 公一 宮崎大学, 工学部, 助手 (50260740)
唐 政 宮崎大学, 工学部, 助教授 (90227299)
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キーワード | フローティング・ゲート / ニューロンMOS / 多値SRAM / LSI設計 / 量子化回路 |
研究概要 |
本研究では、フローティング・ゲートを有するMOSトランジスタ(ニューロンMOS)を用い、量子化回路により構成した、高性能な多値SRAMの開発を行う。昨年の研究に引き続き、4値量子化回路のLSI設計に取り組み、VDECに試作を依頼した。設計には、EWS上で動作するレイアウト設計用ツールを用い、最小面積となるセルの設計が実現できた。正常動作の確認と、スピードの検証は、本学に導入されたHSpiceを用いて解析された。その結果、速度の点で、まだ問題があることが分かり、ニューロンMOSトランジスタの入力ゲートとフローティングゲートの容量を様々に変化させたものを設計した。これらは、間もなく我々の手元に送られてくる予定なので、到着次第、実験に取り掛かる予定である。一方、昨年報告したニューロンMOSによるダウンリテラル回路を発展させた、多入力可変しきい値回路の研究に着手した。ダウンリテラル回路と同様にゲート電圧に、バイアス電圧が加えられており、この電圧を変化させることにより、トランジスタのON、OFFを決めるしきい値電圧を制御できる。この回路は、2値のCMOS NAND NOR回路を多値に拡張したものと位置づけられ、理論的に、様々な多値論関数が実現可能である。現在、基本回路のHSpiceを用いたシミュレーションによって、動作の確認が終わり、回路の構成について、研究を行っている段階である。今後更に検討を加え、この回路を多値SRAMに適用するつもりである。又、来年度は、本研究課題の最終年に当たるので、これまでの成果を踏まえて、目的とした、多値SRAMのLSI化に取り組む予定でる。上記のの成果については、学内の紀要や国際会議で発表し、又採録が決定している。
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