| 研究概要 |
1.撮像評価実験:非晶質薄膜材料は結晶化しないように入射電子ビームエネルギを制限しながら電子回折を行うのがよい。前年度に開発したCdTe,GaAS-EBICを上記の微弱な電子回折ビームの検出に用いた。前年度電子ビーム走査であった撮像部を固体化した。CdTe,GaAsターゲットを積層AMI形撮像素子ED-AMIを蛍光スクリーンのフロント部に設置した。電子回折の加速電圧は20kVなのでCdTe,GaAsターゲットの増倍利得はそれぞれ3000,4000倍であった。過剰雑音は1.15でほぼ無雑音増倍が達成でき論文投稿をした。2.電子ミクロホトメトリ:さらに、デバイ環に沿って加算平均し空間周波数のFFTにより雑音軽減軽減処理をおこなうと入射電子線自身のショット雑音の軽減処理が効果的に達成できることを発見し論文投稿した。3.膜形成時の新構造の発見:a-Se,a-Te膜蒸着時のその場観察を行い膜形成時にランダムリングがまず形成し、その後よりエネルギの安定なランダムチェイン構造の連続ネットワークCRN構造に変わる現象を初めて発見し論文投稿した。これはEXAFSやラマン散乱と一致する。4.画像特性:解像度.残像.ハイライト焼付等を測定した。解像度は525TVL,残像は第1フィールドで0%,ハイライト焼付は無であった。ED-AMIのS/Nは回折電流が73nAのとき47dBである。また,当初予想したように寿命の劣化は全く見とめられない。5.シミュレーション:既開発のコンピュータシミュレーションプログラムを改良拡充した。ラザフォード散乱とべーテの損失能の公式を改良組合わせ増倍利得がより正確に予測可能になった。これを基に像倍率・付加雑音を計算した。像倍率付加雑音の理論と実験の一致は極めて良かった。更に解析を上記実験と平行して進める。得られた知見は随時製作にフィードバックさせる。1)Development of an electron diffractometer using on electron-bombarded amplified MOS imager,J.Vac.Soc.J.Vol.44.No.2.2.Study of ring-to-chain structural change of evaporated amorphous selenium by Reverse Monte Carlo simulation.,J.Vac.Soc.Accepted to be published.
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