| 研究概要 |
トリス-アセチルアセトナトインジウムに濃硝酸を微量添加したアセトン溶液またはn-プロパノールを原料溶液とし,スピンコーティング法またはディップコーティング法を用いて前駆体膜の作製を基板上に行った.この原料溶液に添加する濃硝酸の量はトリス-アセチルアセトナトインジウム錯体の中心金属であるインジウムに配位しているアセチルアセトン基を1つ置換する量が前駆体膜の乾燥に最適であることがわかった.
空気中または酸素雰囲気下で前駆体膜へ150WのD_2ランプによる光照射を行ったところFT-IRのスペクトル結果から水酸基に関するピークの増大が見られたが無照射の試料と比較してX線回折(XRD)パターンには相違はほとんど見られなかった.しかし窒素雰囲気中では光照射時間の増大にともない,処理膜のXRDパターンにおいて水酸化インジウムおよび酸化インジウムに関するピーク強度の増大が確認された.これは無酸素雰囲気ではD_2ランプのスペクトル中の真空紫外光が化学結合の切断に寄与するため前駆体膜中の有機配位子の分解が促進されたためであると考えられる.
ディップコートとArFエキシマレーザー(波長193nm,〜40mJ/cm^2,10Hz,2000ショット)の光照射を交互に行った場合は,XRDパターン上に水酸化インジウムの200面に相当するピークが現れた.しかし,酸化インジウムに関するピークは観察されなかった,また,FT-IRのスペクトルには有機配位子に起因するピークが観察された.
現在のところ紫外線を用い前駆体膜の有機成分の分解酸化が完全に成されておらず,酸化物膜は合成できていない.
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