| 研究概要 |
本年度はシミュレーションの基盤となる基礎理論の定式化を行い,シミュレーションの結果の妥当性の確認を行った.
まず,ランダムスピン系において,スピングラス秩序変数を飛躍的に少ないメモリー量と計算時間で算出できる方法を考案した.この方法の新しい点は,ランダム平均を行う際に,モンテカルロ法を適用し,強磁性秩序変数のある意味での単純平均でスピングラス秩序変数を導出することが可能になった点にある.小さい系で従来の方法との結果を比較したところ,エラーバーの範囲内で一致することが確認できた.この方法を使えば,現在,議論されている2次元±Jイジングモデルにおけるスピングラス相の存在の有無について,はっきりとした結論が得られると考えられる.実際の大きな系での計算は,現在行っている.
また,量子スピン系においては,相互作用が競合している際に現れる負符号問題が緩和されるようなモデルを考案し,かなりフラストレーションの強い領域まで,今までより精度の良いシミュレーション結果を得ることができた.
また,緩和時間が大きくなる低温領域や臨界領域において,臨界点や臨界指数を算出するのに適しており,現在注目されつつある非平衡緩和モンテカルロシミュレーション法を用いてランダムスピン系の研究を行い,強磁性相転移点の詳細な導出を行った.その結果,強磁性相境界においては,ユニバーサリテイが成立していることが確認できた.
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