半導体ナノ構造の量子光物性とその応用

2001 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 11212201
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 三浦 登 東京大学, 物性研究所, 教授 (70010949)
• 研究分担者: 榊 裕之 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (90013226) ; 荒川 泰彦 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (30134638) ; 安藤 恒也 東京大学, 物性研究所, 教授 (90011725) ; 長田 俊人 東京大学, 物性研究所, 助教授 (00192526) ; 白木 靖寛 東京大学, 先端技術研究センター, 教授 (00206286)
• キーワード: 半導体 / ナノ構造 / 量子光物性 / 量子ドット / 量子細線 / 量子井戸 / 強磁場 / 量子現象

研究概要

本年度は昨年度に引き続き各班員の研究グループで精力的に研究が行われ、大略以下のように多くの成果が得られた。
・三浦はII-VI族量子ドットの励起子スペクトルにおいて、異常な反磁性シフトを見いだし、これがGaP/AlP超格子などにおける現象と同様なものであることから間接励起子に共通した性質として理論的にも説明できることを示した。またPbSe/PbEuTe量子ドットにおける超強磁場下でのサイクロトロン共鳴においては顕著な波長依存性、3次元系としては説明のできない磁場角度依存性を見出した。
・安藤は金属的ナノチューブではポテンシャルの到達距離が格子定数より大きな通常の不純物では後方散乱が全く存在せず,ナノチューブが完全導体となることを理論的に予言し,ナノチューブが全く他の物質系にはない特徴的な性質を持っていることを示した.
・荒川は窒化物半導体電子デバイスの基礎研究を行ってきた。GaN/AlGaN変調ドープへテロ構造を作製し,電子物性の解明とFET応用に向けたプロセス開発について展開を図った.特に高い移動度を得るためにるAlGaN層の厚さ等の最適化を図り,その結果室温で世界最高水準の移動度を達成することに成功した.また、Sic基板上へのGaN/AlN量子ドットの形成に成功した。
・榊は自己形成InAs系量子ドットを(GaAs/AlGaAs)系ヘテロ構造チャネルの近傍に配した変形FET構造において、ゲート電圧の作用で電子を捕縛し、メモリー素子などへの応用を探る研究を行い、ドットの形状や位置に依り、電子分布の初期条件やメモリー特性(ヒステレシスの大きさや向き)が大きく変化することを見出した。また2重障壁中に埋め込まれた自己形成ドットへの電子のトンネル流入や脱出過程を、共鳴トンネル形のIV特性、CV特性の周波数依存性、メモリーFETのNs-Vg特性などの解析から明らかにしつつある。
・白木はシリコンをベースとした半導体量子構造作製およびそのデバイス応用に関する研究と、III-V族化合物半導体の新しい量子井戸構造と量子ドットの光物性研究を行った。特に、ドットの形状と位置制御を目的に、ガスソースMBEによるGeドット形成機構を詳細に検討することから、量子効果が顕在化できる寸法にドットを微細化し、形状をそろえ、ドット形成位置に規則性を持たせる手法を見出すことができた。
・長田はドープした半導体超格子の層間結合がコヒーレントな系とインコヒーレントな系を作製し、磁場中層間伝導の角度依存性を調べた。その結果、AMROがインコヒーレントな系においても発現することを実証し、AMROの物理的な起源がバンド効果ではなく隣接2層間の単独のトンネル効果にあることを明らかにした。
・平川は自己組織化InAs量子ドットを高移動度変調ドープ量子井戸中に埋め込んだ横方向伝導型量子ドット赤外光検出器構造を提案し、量子ドット中のサブバンド間遷移を利用して高感度の中赤外光検出器を試作して、量子ドットのサイズや素子構造パラメータを適当に設計することにより、中赤外光領域において従来の検出器の約100倍の高感度を実現できることを示した。

研究成果

• [文献書誌] Y.H.Matsuda, N.Miura 他: "Possible s-d Hybridization Effect on the Cyclotron Mass in II-VI Diluted Magnetic Semiconductors at Megagauss Fields"Physica B. 249-295. 467-470 (2001)
• [文献書誌] Y.H.Matsuda, T.Ikaida, N.Miura 他: "Anomalous Enhancement of the Cyclotron Mass of Electrons in Cd1-xMnxTe Observed at Very High Magnetic Fields"Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, (Osaka, 2000). 246-247 (2001)
• [文献書誌] K.Uchida, N.Miura 他: "Magnetic Field and Pressure Effects of Photoluminescence in a GaP/AIP Short-Period Superlattice"Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, (Osaka, 2000). 555-556 (2001)
• [文献書誌] H.Arimoto, N.Miura, R.A.Stradling: "Cyclotron Resonance in InAs/AlSb Single Quantum Well under Short Pulse of High Magnetic Fields"Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, (Osaka, 2000). 899-900 (2001)
• [文献書誌] T.Yasuhira, N.Miura, E.Kurtz 他: "Exciton Confinement and Anomalous Diamagnetic Shifts in CdSe/ZnSe Quantum Dots under High Magnetic Fields"Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, (Osaka, 2000). 1215-1216 (2001)
• [文献書誌] T.Ikaida, N.Miura 他: "Cyclotron Resonance in PbSe/PbEuTe Quantum Dot Crystals"Proceedings of 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, (Osaka, 2000). 1057-1058 (2001)
• [文献書誌] N.Kotera, H.Arimoto, N.Miura 他: "Non-parabolic Effective Masses of Conduction Subbands in InGaAs/InAlAs Quantum Wells in Normal and Parallel Directions"Physica B. 298. 221-225 (2001)
• [文献書誌] K.Uchida, N.Miura, F.Issiki, Y.Shiraki: "Carrier Localization in GaP/AIP Type-II Heterostructures in High Magnetic Fields.(2001)"Physica B. 298. 310-314 (2001)
• [文献書誌] T.Yasuhira, Y.H.Matusda, K.Uchida, N.Miura 他: "High Field Magneto-Optical Study of Magnetic Interactions in CdMnTe Quantum Well"Physica B. 298. 411-415 (2001)
• [文献書誌] Y.H.Matsuda, T.Yasuhira, K.Uchida, N.Miura, 他: "Excitons and Magneto-Absorption in Cd1-xMnxTe at 5O0T-Fields"Physica B.. 298. 416-420 (2001)
• [文献書誌] T.Ikaida, N.Miura, Y.Shiraki, Y.Imanaka, K.Takehana 他: "Filling Factor Dependence of Electron Effective Mass in Si/SiGe Quantum Wells at High Magnetic Field"Physica B. 298. 505-509 (2001)
• [文献書誌] A.Yamamoto K.Uchida, N.Miura 他: "Excitons and Band Structure of Highly Anisotropic GaTe Single Crystals"Physical Review B. 64. 035210-1-035210-9 (2001)
• [文献書誌] Y.H.Matsuda, T.Ikaida, N.Miura, J.他: "Electron Cyclotron Resonance in In 1-xMnxAs (2001)"Physica E. 10. 219-223 (2001)
• [文献書誌] D.R.Yakoblev, W.Ossau, S.A.Crooker, K.Uchida, N.Miura 他: "Trions in ZnSe-Based Quantum Wells Probed by 50T Magnetic Fields"Physica Status Solidi (b). 227. 353-363 (2001)
• [文献書誌] R.A.Stradling, T.Ikaida, Y.H.Matsuda, N.Miura 他: "Coulomb Effects Observed in the Cyclotron Resonance at High Carrier Concentrations in Modulation-Doped InAs/GaSb Quantum Wells Giving Filling Factors (n) of 2 to 3.5 at 40T"Proceedings of the 10th Int. Conf. Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Application. 13-15 (2001)
• [文献書誌] T.Ikaida, N.Miura, S.J.Allen, G.Bauer 他: "Study of Electronic States in PbSe/PbEuTe Quantum Dot Crystals by Cyclotron Resonance at Very High Magnetic Fields"Proceedings of the 10th Int. Conf. Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Application. 48-50 (2001)
• [文献書誌] Y.H.Matsuda, T.Ikaida, N.Miura, J.Kono 他: "Hole Cyclotron Resonance in In_<1-x>Mn_xAs"Proceedings of the 10th Int. Conf. Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Application. 93-95 (2001)
• [文献書誌] B.N.Murdin, Y.H.Matsuda, N.Miura 他: "Effective Mass Enhancement in Dilute InN_xSb_<1-x>"Proceedings of the 10th Int. Conf. Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Application. 297-299 (2001)
• [文献書誌] T.Yaguchi, T.Ando: "Electronic States of Capped Carbon Nanotubes"Journal of Physical Society of Japan. 70. 1327-1341 (2001)
• [文献書誌] T.Nakanishi, T.Ando: "Conductance of Crossed Carbon Nanotubes"Journal of Physical Society of Japan. 70. 1647-1658 (2001)
• [文献書誌] H.Matsumura, T.Ando: "Conductance of Carbon Nanotube Junctions in Magnetic Fields"Journal of Physical Society of Japan. 70. 2401-2408 (2001)
• [文献書誌] K.Suzuki, Y.Arakawa: "Near 1.3mm EMission at Room Temeperature from InAsS/GaAs Self-Assembled Quantum Dots on GaAs Substrates"Physica Status Solidi(b). 224. 139-142 (2001)
• [文献書誌] Arakawa, T.Someya, K.Tachibana: "Progress in Growth and Physics of Nitride-Based Quantum Dots"Physica Status Solidi (b). 224. 1-11 (2001)
• [文献書誌] T.Yamamoto, S.Inoue, M.Ozaki: "On the limitation of the current sheet approximation in estimation of the northward Bz associated field-aligned currents"J. Geophys. Res.. Vol.105, No.A9. 21143-21157 (2001)
• [文献書誌] M.Yoshita, N.Kondo, H.Sakaki: "Large terrace formation and modulated electronic states in (110) GaAs"Physical Review B. 63. 075305 (2001)
• [文献書誌] A.Vasanelli, H.Sakaki, G.Bastard, 他: "Electronic structure, Stark effect and optical properties of multistacked dots"Japanese Journal of Applied Physics. 40. 1955 (2001)
• [文献書誌] T.Unuma, T.Takahashi, T.Noda, H.Sakaki, H.Akiyama 他: "Effect of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well"Applied Physics Letters. 78. 3448 (2001)
• [文献書誌] N.Usami, M.Miura, Y.Ito, Y.Araki, K.Nakajima, Y.Shiraki: "Modification of the growth mode of Ge on Si(100) in the presence of buried Ge islands"Journal of Crystal Growth. 227. 782-785 (2001)
• [文献書誌] Dunbar A, Halsall M, Dawson P, Bangert U, Miura M, Shiraki Y: "The effect of strain field seeding on the epitaxial growth of Ge islands on Si(001)"Applied Physics Letters. 78:(12). 1658-1660 (2001)
• [文献書誌] Kawaguchi K, Shiraki Y, Usami N, Zhang J, Woods NJ, Breton 他: "Fabrication of strain-balanced Si/Si1-xGex multiple quantum wells on Sil-yGey virtual substrates and their optical properties"Applied Physics Letters. 79:(3). 344-346 (2001)
• [文献書誌] T.Osada, H.Nose, M.Kuraguchi: "Angular Dependent Phenomena in Low-Dimensional Conductors under High Magnetic Fields"Physica B. 294-295. 402-407 (2001)
• [文献書誌] M.Koshino, H.Aoki, K.Kuroki, S.Kagoshima, T.Osada: "Hofstadter Butterfly and Integer Quantum Hall Effect in Three Dimensions"Physical Reviw Letters. 86. 1062-1065 (2001)
• [文献書誌] M.Koshino, H.Aoki K.Kuroki, S.Kagoshima, T.Osada: "Butterfly Spectrum and Integer Quantum Hall Effect in Three Dimensions -a Mapping between 2D and 3D Hofstadter Problems"Physica B. 298. 97-100 (2001)
• [文献書誌] K.Hirakawa, K.Yamanaka, M.Endo, S.Komiyama: "Far-infrared photoresponse of the magnetoresistance of the two-dimensional electron systems in the integer quantized Hall regime"Physical Review B. 63. 85320-85324 (2001)
• [文献書誌] K.Hirakawa, A.Oiwa, H.Munekata: "Infrared optical conductivity of In_<1-x>Mn_xAs"Physica E. 10. 215-218 (2001)
• [文献書誌] Ph.Lelong, K.Hirakawa, K.Hirotani, S.-W.Lee, H.Sakaki: "Fano profiles in bound-to-continuum intersubband transitions in negatively charged InAs quantum dots"Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors. 1163-1164 (2001)
• [文献書誌] N.Miura, T.Ando (Editors): "Proceedings of the 25^<th> International Conference on the Physics of Semiconductors"Springer Verlag. 1846 (2001)