| 研究分担者 |
末澤 正志 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (00005919)
石山 武 岡山大学, 工学部, 助手 (40314653)
山下 善文 岡山大学, 工学部, 講師 (80251354)
望月 康則 日本電気株式会社, 基礎研究所, 研究マネージャー
押山 淳 筑波大学, 物理学系, 教授 (80143361)
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| 研究概要 |
本研究は、種々の電子励起効果のうちで、イオン化による荷電状態変化の効果に焦点を絞り、これによる欠陥の生成、局所構造変化、分解、移動など原子移動の機構を実験的・理論的に解明し、それを利用して原子移動を制御することにより原子操作を行うことを目的とし、Si, SiO_2, GaAs, GaN系結晶やデバイス構造中の点欠陥、転位、水素関連欠陥を対象として研究を行い、以下のような知見を得た。
1.Si中の水素-炭素ペア-の構造と電子状態との関連、ペア-の安定性に対する荷電状態の効果,一軸性応力によるペア-電子状態の変化と水素の応力誘起移動に対する荷電状態効果を明らかにした。その結果,炭素周辺での水素の局所運動を電子励起により制御できることを示した。
2.Si中の自己格子間原子と水素との複合欠陥を固定し、その安定性に対する電子励起効果を検討した。
3.Si中のmulti-vacancyの安定構造と水素デコレ-ション効果を明らかにし、荷電状態の影響を研究した。
4.Siエピ膜中でErに関連した新規な発光中心を見出した。
5.Siのpn接合中の欠陥を固定した。
6.Si, GaAs中、Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロエピ膜中の転位運動に対する水素の影響を研究し、運動促進効果が発現するための条件を見出した。
7.SiO_2中の酸素空孔の双安定性を見出し、それが荷電状態に依存することを明らかにした。
8.GaAs中で水素パシベ-ションにより電気的に不活性化したドナ-の光誘起再活性化過程を研究した。
9.GaN中の水素-アクセプタ・ペア-の高安定性と電子励起による安定性低下を見出した。
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