| 研究課題/領域番号 |
11231203
|
|---|
| 研究機関 | 東京理科大学 |
|---|
研究代表者 |
長坂 啓吾 東京理科大学, 理学部・第1部, 教授 (80029470)
|
|---|
| 研究分担者 |
堀場 鉚一郎 東京理科大学, 理学部・第1部, 講師 (00084327)
|
|---|
| キーワード | 一次元画像 / 画素10μm / テラヘルツ波 / 共鳴吸収画像 / エバネッセント波 / n-InAs, n-GaAs / 半導体素面 / テラヘルツ波発光機構 |
|---|
| 研究概要 |
1.画素10μmのテラヘルツ波の共鳴吸収画像を観測することを目的して、テラヘルツ電磁波を透過するアダマールマスクを準備し、観測・アダマール逆変換で画像を得るための研究準備は順調に進んでいる。具体的には(a)波長の1/10から1/100程度の画素測定のためのアダマールマスクの設計が完了した。一方、(b)以前用意した画素約10μmのアダマールマスクを利用してLab-viewで信号処理システムを組み、システムを完成している。
2.炭酸ガス励起遠赤外レーザーによるエバネッセント波の発生に成功し、これに引き続き本研究ではアダマールマスクによるエバネッセント波から伝搬光へ変換実験を行っている。この要素研究を進めている。
3.半導体表面からテラヘルツ波発生のメカニズムの解明
n-InAs, n-GaAsなどの半導体表面に、波長0.8μm、パルス幅100fsの電磁波を照射するとテラヘルツ波が発生することが報告され、発光機構の吉典論的説明はなされている。しかしながら、発光に関与する各種素励起群分布の時間発展は明らかに成っていない。超短パルス電磁波で励起した非平衡状態電子緩和過程を数psec毎、テラヘルツ波サイクロトロン共鳴を観測し、発光強度との関係を求める計画が進んでいる。この研究によって発光機構を明らかにし、それに基づき発光強度最大条件を求める。平成11年度は本研究の準備が順調に進んでいる。
|
