2003 年度実績報告書

人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用

研究課題

研究課題/領域番号	11232101
研究機関	東京大学
研究代表者	白木靖寛東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)
研究分担者	坂本統徳産業技術総合研究所, 国際部門, 次長(研究職) 室田淳一東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144) 安田幸夫名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60126951) 伊澤達夫 NTTエレクトロニクス, 取締役社長(研究職) 荒井英輔名古屋工業大学, 工学部, 教授 (90283473)
キーワード	人工IV族半導体 / 光エレクトロニクス / 電子物性 / 光物性 / シリコンゲルマニウム / 極微細構造
研究概要	本研究は、以下の研究項目に対応して3つの研究計画班を構成するとともに、研究推進と研究の方向付けを行うため、総括班を設置し、全体の統括を行ってきた。研究項目A班人工IV族半導体の形成と光・電子物性制御(代表者白木(東大)) 研究項目B班人工IV族半導体極微細構造デバイス作製のための原子精度要素プロセスの開発(代表者安田(名古屋大)) 研究項目C班人工IV族半導体極微細構造を用いた超高速光・電子デバイスの開発(代表者室田(東北大)) 本研究を遂行においては、各研究項目について設定した具体的な目標を達成するべく研究を進めているが、この目標については、研究の進展状況および外部状況の変化に対応して、毎年見直しを行い、研究方針の明確化・研究推進の加速に努めてきた。研究期間中には、数回の中間準捗状況検討会を開催し、各研究班における進捗状況を検討し、成果目標の見直しと連携状況の確認を行った。これらの緊密な連携の結果、各研究項目について、多くの重要な成果を得ることができており、設定した成果目標の達成率も極めて高いものとなっている。また、本総括班主催の国際ワークショップを開催し、本研究において得られた成果を広く発表・検討する機会も設けてきた。また、得られた成果は、国際学会・学術雑誌・新聞発表等を通して発表されている。以上のように、本特定領域研究の進展状況は極めて良好であり、総括班としての職務である、成果目標設定を通した研究の加速化および各研究班間の連携確保を推進することができたと考えている。なお、本特定領域研究の成果公表については、平成16年度の「成果とりまとめ」の段階において、本総括班主催のワークショップおよび成果報告冊子の作成を行う予定である。

研究成果
(20件)

すべてその他

すべて文献書誌 (20件)

[文献書誌] K.Sawano, S.Koh, Y.Shiraki, N.Usami, K.Nakagawa: "In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures"APPLIED PHYSICS LETTERS. 83. 4339-4341 (2003)
[文献書誌] K.Sawano, Y.Hirose, Y.Ozawa, S.Koh, J.Yamanaka, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shirki: "Enhancement of strain relaxation of SiGe thin layers by pre-ion-implantation into Si substrates"JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 42. L735-L737 (2003)
[文献書誌] K.Sawano, K.Kawaguchi, S.Koh, Y.Hirose, J.Yamanaka, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shiraki: "Surface planarization of strain-relaxed SiGe buffer layers by CMP and post cleaning"JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 150. G376-G379 (2003)
[文献書誌] K.Takahashi, M.Fujiu, M.Sakuraba, J.Murota: "Si Epitaxial Growth on SiH_3CH_3 Reacted Ge(1 0 0) and Intermixing between Si and Ge during Heat Treatment"Appl.Surf.Sci. 212-213. 193-196 (2003)
[文献書誌] H.Shim, M.Sakuraba, T.Tsuchiya, J.Murota: "Work Function of Impurity-Doped Polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y Film Deposited by Ultraclean Low-Pressure CVD"Appl.Surf.Sci.. 212・213. 209-212 (2003)
[文献書誌] J.Noh, M.Sakuraba, J.Murota, S.Zaima, Y.Yasuda: "Contact Resistivity between Tungsten and Impurity (P and B)-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Layer"Appl.Surf.Sci.. 212・213. 679-683 (2003)
[文献書誌] T.Kanaya, M.Sakuraba, J.Murota: "W Delta Doping in Si(1 0 0) Using Ultraclean Low-Pressure CVD"Appl.Surf.Sci.. 212・213. 684-688 (2003)
[文献書誌] T.Tsuchiya, Y.Imada, J.Murota: "Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero-Interface and Correlation Between the Trap Density and Low-Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs"IEEE Trans.Electron Devices. 50. 2507-2512 (2003)
[文献書誌] J.Noh, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota: "Relationship between Impurity (B or P) and Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment"Appl.Surf.Sci.. 224. 77-81 (2004)
[文献書誌] Y.Shimamune, M.Sakuraba, J.Murota: "Formation of Heavily P Doped Si Epitaxial Film on Si(1 0 0) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique"Appl.Surf.Sci. 224. 202-205 (2004)
[文献書誌] M.Fujiu, K.Takahashi, M.Sakuraba, J.Murota: "Effect of Carbon on the Thermal Stability of a Si Atomic Layer on Ge(1 0 0)"Appl.Surf.Sci.. 224. 206-209 (2004)
[文献書誌] D.Lee, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota, T.Tsuchiya: "Fabrication of 0.12-μm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD"Appl.Surf.Sci.. 224. 254-259 (2004)
[文献書誌] S.Zaima, A.Sakai, Y.Yasuda: "Control in the initial growth stage of heteroepitaxial Si_<1-x-y>Ge_xC_y on Si(0 0 1) substrates"Applied Surface Science. 212・213. 184-192 (2003)
[文献書誌] K.Sasaki, T.Ikeda, M.Kitai, H.Konta, T.Hata: "Investigation of Effect of Sputtering Gases on Ion-Beam-Sputtering Growth of Si and Ge"Transactions of Materials Research Society of Japan. 28(4). 1157-1159 (2003)
[文献書誌] K.Sasaki, K.Kawai, T.Hasu, M.Yabuuchi, T.Hata: "Feasibility of Ultra-thin Films for Gate Insulator by Limited Reaction Sputtering Process"IEICE Transactions on Electronics. E87-C(2). 218-222 (2004)
[文献書誌] J.Noh, M.Sakuraba, J.Murota, S.Zaima, Y.Yasuda: "Contact resistivity between tungsten and impurity (P and B)-doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial layer"Applied Surface Science. 212・213. 679-683 (2003)
[文献書誌] T.Egawa, A.Sakai, T.Yamamoto, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda: "Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(0 0 1) substrates"Applied Surface Science. 224(1-4). 104-107 (2004)
[文献書誌] T.Yamamoto, A.Sakai, T.Egawa, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda: "Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si (0 0 1) substrates with an ultra-thin Ge interlayer"Applied Surface Science. 224(1-4). 108-112 (2004)
[文献書誌] S.Ariyoshi, S.Takeuchi, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda: "Influence of Si_<1-x>Ge_x interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(100)"Applied Surface Science. 224(1-4). 117-121 (2004)
[文献書誌] S.Zaima, O.Nakatsuka, A.Sakai, J.Murota, Y.Yasuda: "Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe(C) contacts"Applied Surface Science. 224(1-4). 215-221 (2004)

2003 年度 実績報告書

人工IV族半導体の物性制御と超高速光・電子デバイスへの応用

研究代表者

白木 靖寛 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)

研究成果

[文献書誌] K.Sawano, S.Koh, Y.Shiraki, N.Usami, K.Nakagawa: "In-plane strain fluctuation in strained-Si/SiGe heterostructures"APPLIED PHYSICS LETTERS. 83. 4339-4341 (2003)

[文献書誌] K.Sawano, Y.Hirose, Y.Ozawa, S.Koh, J.Yamanaka, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shirki: "Enhancement of strain relaxation of SiGe thin layers by pre-ion-implantation into Si substrates"JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 42. L735-L737 (2003)

[文献書誌] K.Sawano, K.Kawaguchi, S.Koh, Y.Hirose, J.Yamanaka, K.Nakagawa, T.Hattori, Y.Shiraki: "Surface planarization of strain-relaxed SiGe buffer layers by CMP and post cleaning"JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 150. G376-G379 (2003)

[文献書誌] K.Takahashi, M.Fujiu, M.Sakuraba, J.Murota: "Si Epitaxial Growth on SiH_3CH_3 Reacted Ge(1 0 0) and Intermixing between Si and Ge during Heat Treatment"Appl.Surf.Sci. 212-213. 193-196 (2003)

[文献書誌] H.Shim, M.Sakuraba, T.Tsuchiya, J.Murota: "Work Function of Impurity-Doped Polycrystalline Si_<1-x-y>Ge_xC_y Film Deposited by Ultraclean Low-Pressure CVD"Appl.Surf.Sci.. 212・213. 209-212 (2003)

[文献書誌] J.Noh, M.Sakuraba, J.Murota, S.Zaima, Y.Yasuda: "Contact Resistivity between Tungsten and Impurity (P and B)-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Layer"Appl.Surf.Sci.. 212・213. 679-683 (2003)

[文献書誌] T.Kanaya, M.Sakuraba, J.Murota: "W Delta Doping in Si(1 0 0) Using Ultraclean Low-Pressure CVD"Appl.Surf.Sci.. 212・213. 684-688 (2003)

[文献書誌] T.Tsuchiya, Y.Imada, J.Murota: "Direct Measurements of Trap Density in a SiGe/Si Hetero-Interface and Correlation Between the Trap Density and Low-Frequency Noise in SiGe-Channel pMOSFETs"IEEE Trans.Electron Devices. 50. 2507-2512 (2003)

[文献書誌] J.Noh, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota: "Relationship between Impurity (B or P) and Carrier Concentration in SiGe(C) Epitaxial Film Produced by Thermal Treatment"Appl.Surf.Sci.. 224. 77-81 (2004)

[文献書誌] Y.Shimamune, M.Sakuraba, J.Murota: "Formation of Heavily P Doped Si Epitaxial Film on Si(1 0 0) by Multiple Atomic-Layer Doping Technique"Appl.Surf.Sci. 224. 202-205 (2004)

[文献書誌] M.Fujiu, K.Takahashi, M.Sakuraba, J.Murota: "Effect of Carbon on the Thermal Stability of a Si Atomic Layer on Ge(1 0 0)"Appl.Surf.Sci.. 224. 206-209 (2004)

[文献書誌] D.Lee, S.Takehiro, M.Sakuraba, J.Murota, T.Tsuchiya: "Fabrication of 0.12-μm SiGe-Channel MOSFET Containing High Ge Fraction with Ultrashallow Source/Drain Formed by Selective B-Doped SiGe CVD"Appl.Surf.Sci.. 224. 254-259 (2004)

[文献書誌] S.Zaima, A.Sakai, Y.Yasuda: "Control in the initial growth stage of heteroepitaxial Si_<1-x-y>Ge_xC_y on Si(0 0 1) substrates"Applied Surface Science. 212・213. 184-192 (2003)

[文献書誌] K.Sasaki, T.Ikeda, M.Kitai, H.Konta, T.Hata: "Investigation of Effect of Sputtering Gases on Ion-Beam-Sputtering Growth of Si and Ge"Transactions of Materials Research Society of Japan. 28(4). 1157-1159 (2003)

[文献書誌] K.Sasaki, K.Kawai, T.Hasu, M.Yabuuchi, T.Hata: "Feasibility of Ultra-thin Films for Gate Insulator by Limited Reaction Sputtering Process"IEICE Transactions on Electronics. E87-C(2). 218-222 (2004)

[文献書誌] J.Noh, M.Sakuraba, J.Murota, S.Zaima, Y.Yasuda: "Contact resistivity between tungsten and impurity (P and B)-doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y epitaxial layer"Applied Surface Science. 212・213. 679-683 (2003)

[文献書誌] T.Egawa, A.Sakai, T.Yamamoto, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda: "Strain-relaxation mechanisms of SiGe layers formed by two-step growth on Si(0 0 1) substrates"Applied Surface Science. 224(1-4). 104-107 (2004)

[文献書誌] T.Yamamoto, A.Sakai, T.Egawa, N.Taoka, O.Nakatsuka, S.Zaima, Y.Yasuda: "Dislocation structures and strain-relaxation in SiGe buffer layers on Si (0 0 1) substrates with an ultra-thin Ge interlayer"Applied Surface Science. 224(1-4). 108-112 (2004)

[文献書誌] S.Ariyoshi, S.Takeuchi, O.Nakatsuka, A.Sakai, S.Zaima, Y.Yasuda: "Influence of Si_<1-x>Ge_x interlayer on the initial growth of SiGeC on Si(100)"Applied Surface Science. 224(1-4). 117-121 (2004)

[文献書誌] S.Zaima, O.Nakatsuka, A.Sakai, J.Murota, Y.Yasuda: "Interfacial reaction and electrical properties in Ni/Si and Ni/SiGe(C) contacts"Applied Surface Science. 224(1-4). 215-221 (2004)

2003 年度実績報告書

白木靖寛東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)