| 研究分担者 |
黄 晋二 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (50323663)
白木 靖寛 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)
伊藤 良一 明治大学, 理工学部, 教授 (40133102)
岡山 秀彰 沖電気, 光エレクトロニクス研究所, 研究員
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| 研究概要 |
1.AlGaAs導波路型DFGデバイスの最適設計
DWDMフォトニックネットワークのOXC用波長変換デバイスを念頭において,1.55μm帯DFGデバイスの最適設計をおこなった。その結果,SHG規格化変換効率にして700%/W/cm^2もの高効率が達成でき,100mWのポンプ光入力に対して10mmのデバイスで約30%の効率が得られること,3dB帯域幅は40nmと十分実用的であることを示した。
2.AlGaAs導波路型DFGデバイスの作製と評価
副格子交換エピタキシー法とCMPによる平坦化技術を組み合わせて,1次QPM導波路型AlGaAsDFGデバイスを初めて試作した。残念ながら,設計よりも位相整合波長が長波長側にシフトしてしまったために,波長変換特性は十分に評価できなかったが,伝搬損失は控えめに見積もっても20dB/cm以下と昨年度までよりも大幅に改善できていることが確認できた。また,評価光学系を改善することによって50%近い結合効率を実現できており,設計どおりのデバイスが作製でき次第,高効率波長変換動作を確認できるものと考えている。
3.GaAs光パラメトリックデバイスの設計と作製
GaAs QPM光パラメトリック発振器の基本設計をおこない,LD励起固体程度の光源で励起可能で2-14μmをカバーする波長可変光源が実現可能であることを明らかにした。バルク型デバイスの実現を目指して,反転ドメイン境界の垂直性を保った成長法の検討をおこない,MBEとMOVPEでデューティ比保存成長条件を特定することができた。現在,これを用いてデバイスを作製中である。
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