| 研究課題/領域番号 |
11450002
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
白木 靖寛 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00206286)
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| 研究分担者 |
黄 晋二 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (50323663)
宇佐美 徳隆 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (20262107)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| キーワード | シリコンゲルマニウム / 歪み場 / 励起子 / 光エレクトロニクス / 量子ドット / 島状成長 |
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| 研究概要 |
本研究においては、平成11年度から平成12年度にかけて、Si基板上のGe島状成長について、その成長様式および光学特性について詳細に調べた。Ge島状成長において、最も重要な目標は、Ge島の密度を大きくし、かつGe島の大きさを揃えることにある。平成11年度には、島状成長におけるSiキャップ層の効果について検討を行い、Siキャップ層によってGe島の密度が増加することを見出した。また、平成12年度に取り組んだ、薄いSiスペーサ層を介したGe島層の積層構造においては、Ge島層間に歪みによる相関が生じ、Ge島の大きさが揃う効果が確認された。また、積層するGe層の第1層を低温成長することによって微小化し、その上にGe島層を複数層積層させることによって大きさを揃え、かつ高温成長においても微小化したGe島を成長することにも成功している。平成13年度には、SiGe量子構造をSiGe/Siブラッグミラーで構成される共振器構造に挿入することにより、SiGe量子構造からの発光特性の変調を試みた。発光層としてSiGe量子井戸および、Ge島を用いて評価を,行った結果、共振器構造による発光の変調を観測することができた。また、発光層としてGe層利用した場合には、室温付近まで変調された発光が観測され、応用上極めて重要な結果を得ることができた。これらの成果は、欧文誌、国際学会等で発表された。このように、本研究の研究経過は極めて良好であり、非常に重要な知見を多く得ることができている。
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