| 研究課題/領域番号 |
11450004
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
森下 義隆 東京農工大学, 工学部, 助教授 (00272633)
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| 研究分担者 |
石橋 隆幸 東京農工大学, 工学部, 助手 (20272635)
覧具 博義 東京農工大学, 工学部, 教授 (50302914)
佐藤 勝昭 東京農工大学, 工学部, 教授 (50170733)
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| キーワード | フォトニック結晶 / ナノスピニクス / 半導体量子ドット / 磁性体量子ドット / 陽極化成 / 輻射場 |
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| 研究概要 |
スピンを制御したフォトニック結晶(フォトスピニック結晶)の作製を目的として、(1)電子ビームリソグラフィーとドライエッチングによる半導体ピラー構造の作製、(2)陽極化成によるハニカム孔の作製、(3)分子線エピタキシー(MBE)法による半導体量子ドットの作製、(4)BE方による磁性体細線構造の作製と、(5)ブラズマCVD装置の試作・立ち上げを行った。
(1)に関しては、条件の最適化によって直径200nm、ピッチ500nm、アスペクト比5程度のGaAsのピラー構造の作製に成功した。
(2)に関しては、Wランプの照射下、アンモニア溶液中でGaAsを陽極化成すると、サイズ(約200nm)のそろったハニカム孔が形成されることが分かった。また、化成時に磁界を印加することでサイズのゆらぎがより一層改善されることが分かった。
(3)に関しては、サイズのそろったハニカム孔を有するGaAs基板を用いることで、InAs量子ドットのサイズのゆらぎを改善することに成功した。
(4)に関しては、V溝を有するGaAs基板の片側の斜面にのみMnAsをMBE成長し磁気特性を評価した結果、磁化容易軸が面内でc軸が基板表面にほぼ垂直であることが分かった。
これらの結果は、高品質なフォトスピニック結晶を作製する際の中心的な基盤技術となるものである。
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