| 研究課題/領域番号 |
11450004
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
森下 義隆 東京農工大学, 工学部, 助教授 (00272633)
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| 研究分担者 |
石橋 隆幸 東京農工大学, 工学部, 助手 (20272635)
覧具 博義 東京農工大学, 工学部, 教授 (50302914)
佐藤 勝昭 東京農工大学, 工学部, 教授 (50170733)
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| キーワード | フォトニック結晶 / ナノスピニクス / 半導体量子ドット / フォトニクス / 陽極酸化 / 輻射場 / 量子ドット / 半導体 / 磁性体積層構造 |
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| 研究概要 |
スピンを制御したフォトニック結晶(フォトスピニック結晶)の作製と評価を目的として,(1)電子ビームリソグラフィーとドライエッチングおよびプラズマCVD装置による半導体ピラー埋め込み構造の作製、(2)陽極化成によるハニカム孔の作製、(3)分子線エピタキシー(MBE)法による半導体量子ドットの作製、(4)MBE法による磁性体積層構造の作製を行った。
(1)に関しては、条件の最適化によってアスペクト比7程度のGaAsのピラー構造の作製と、SiO_2による埋め込み構造の作製に成功した。
(2)に関しては、Wランプの照射下、アンモニア溶液中でGaAsを磁界を印加しながら陽極酸化すると、サイズ(約200nm)のそろったハニカム孔が形成され、電子ビームリソグラフィーを併用すると高規則化が図られることが分かった。
(3)に関しては、サイズのそろったハニカム孔を有するGaAs基板を用いることで、InAs量子ドットのサイズのゆらぎを改善することに成功した。また、FIBで加工した基板上には、穴を埋めるようにドットが形成されることが分かった。
(4)に関しては、V溝を有するGaAs基板の斜面上にMnAs/GaAs積層構造をMBE成長し磁気特性を評価した結果、ステップ状の磁化特性が得られることが分かった。
これらの結果は、高品質なフォトスピニック結晶を作製する際の中心的な基盤技術となるものである。
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