| 研究概要 |
酸化物半導体の研究は、まだ日が浅く、その理解と技術力の向上が急がれている状況にある。本研究はその要請に応えるべく、全酸化物半導体のエピタキシャル成長技術に枠を極め、応用デバイスの動作実証実験までおこなうもので独創性に高い研究と思われる。
酸化物材料には多種の際だった機能が備わっているが、その機能を十分に発揮させるには通常の半導体と同種のアクティブ酸化物素子に道を付ける必要がある。その第1のステップが酸化物PN接合の実現である。電子相関が強い酸化物伝導の世界において半導体で馴染みの小数キャリヤ注入の概念が通用するのか否か、を明らかにすることは学術的にも、光学的にも非常に重要な内容である。
本年度はエクリプスPLD技術を使ってp-LaSrMnO (または p-(NiLi)O) ,n-LaSrTiO 系のエピタキシャル成長に大きな進展を得ることができ、i-SrTiO をバリヤー層に使った構成のPINダイオードを試作して、シリコン半導体と遜色の無い見事な整流特性を得ることに成功した。電子相関が強い舞台であるにもかかわらず、通常のバンドダイアグラム表示が可能であることが判明した。
トラップ準位に関する知見も得られている。その制御は今後の研究の展開に大きな関わりをもつので、今後はトラップを重視した研究の進め方をおこなう予定である。
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